[发明专利]一种增强硅基薄膜电致发光的方法

权利要求书

1.一种增强硅基薄膜电致发光的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)用电子束蒸发或直流磁控溅射的方法，在经过化学清洗和氧化层去除后的P型硅片的正面上沉积一层Ag薄膜，然后在氮气或惰性气氛保护下快速热退火制得Ag岛膜，退火温度为300-500℃，退火时间为1-10min；所述的P型硅片的正面为P型硅片的抛光面；

(2)采用氨气和以氮气稀释的硅烷的混合气体作为先驱气体，用等离子增强化学气相沉积的方法，在步骤(1)制得的Ag岛膜上沉积一层富硅氮化硅薄膜，然后用电子束蒸发的方法在所述的富硅氮化硅薄膜上沉积一层氧化硅薄膜；

(3)用直流磁控溅射的方法，在所述的氧化硅薄膜上沉积一层ITO薄膜作为正面出光电极，然后用电子束蒸发的方法在所述的P型硅片的背面沉积一层Al作为背面金属电极，制得硅基薄膜发光器件。

2.如权利要求1所述的增强硅基薄膜电致发光的方法，其特征在于，所述的步骤(1)中的P型硅片为P型外延硅片、P型重掺硅片或P型轻掺硅片。

3.如权利要求1所述的增强硅基薄膜电致发光的方法，其特征在于，所述的步骤(1)中的惰性气氛为氩气。

4.如权利要求1所述的增强硅基薄膜电致发光的方法，其特征在于，所述的步骤(1)中的电子束蒸发中，电子束束流大小为15-30mA，膜厚仪显示厚度为采用纯度为99％及以上的Ag源。

5.如权利要求1所述的增强硅基薄膜电致发光的方法，其特征在于，所述的步骤(1)中的直流磁控溅射中，溅射功率为：50-70W，溅射时间为：20-90s，沉积气压为：1-10Pa，采用纯度为99％及以上的Ag源。

6.如权利要求1所述的增强硅基薄膜电致发光的方法，其特征在于，所述的步骤(2)中，以氮气稀释的硅烷中，氮气和硅烷的体积比为95∶5-85∶15。

7.如权利要求1所述的增强硅基薄膜电致发光的方法，其特征在于，所述的步骤(2)中，氨气和以氮气稀释的硅烷的流量比为10∶100-30∶100。

8.如权利要求1所述的增强硅基薄膜电致发光的方法，其特征在于，所述的步骤(2)中，所述的等离子增强化学气相沉积中，射频功率为：5-25W，衬底温度为：200-400℃，沉积气压为：10-25Pa。

9.如权利要求1所述的增强硅基薄膜电致发光的方法，其特征在于，所述的步骤(2)中，所述的电子束蒸发中，电子束束流大小为15-50mA，膜厚仪显示厚度为：采用石英片作为SiO₂源。