[发明专利]光电转换元件的制造方法

权利要求书

1.一种具有形成于基板上的多层结构的光电转换元件的制造方法，所述多层结构包括下电极、由化合物半导体层制得的光电转换层、由化合物半导体层制得的n型缓冲层、和透明导电层，所述方法包括：

制备反应液的步骤，所述反应液包含含有n型掺杂元素；氨和铵盐中的至少一种；和硫脲的水溶液；

扩散步骤，所述扩散步骤通过将包括下电极和形成于下电极上的光电转换层的基板浸入被控制到20℃～45℃的预定温度的所述反应液中来将所述n型掺杂物扩散至所述光电转换层中；和

沉积步骤，所述沉积步骤通过将经历了所述扩散步骤的包括下电极和光电转换层的基板浸入被控制到70℃～95℃的预定温度的所述反应液中来将所述缓冲层沉积在光电转换层上。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述扩散步骤和所述沉积步骤在同一反应槽中进行。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述扩散步骤和沉积步骤在不同的反应槽中进行。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述扩散步骤的处理时间为1分钟～60分钟。

5.如权利要求1所述的方法，其中，作为所述n型掺杂元素的元素来源，使用选自由硫化镉、乙酸镉、硝酸镉、柠檬酸镉及其水合物组成的组中的至少一种，或者选自由硫化锌、乙酸锌、硝酸锌、柠檬酸锌及其水合物组成的组中的至少一种。

6.如权利要求1所述的方法，其中，如果将Zn(S，O)层形成为缓冲层，则在所述沉积步骤之后于150℃～220℃的温度下进行为时5分钟～90分钟的退火。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述光电转换层的主要成分是至少一种具有黄铜矿结构的化合物半导体。

8.如权利要求6所述的方法，其中，所述光电转换层的主要成分是至少一种化合物半导体，所述化合物半导体含有

选自由Cu和Ag组成的组中的至少一种Ib族元素，

选自由Al、Ga和In组成的组中的至少一种IIIb族元素，和

选自由S、Se和Te组成的组中的至少一种VIb族元素。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述基板包含选自由以下基板组成的组中的阳极化基板：

通过在含有Al作为主要成分的Al基材的至少一侧上形成含有Al₂O₃作为主要成分的阳极化膜而提供的阳极化基板；

通过在由含有Fe作为主要成分的Fe材料和结合在所述Fe材料的至少一侧上的含有Al作为主要成分的Al材料制得的复合基材的至少一侧上形成含有Al₂O₃作为主要成分的阳极化膜而提供的阳极化基板；和

通过在由含有Fe作为主要成分的Fe材料和形成于所述Fe材料的至少一侧上的含有Al作为主要成分的Al膜制得的基材的至少一侧上形成含有Al₂O₃作为主要成分的阳极化膜而提供的阳极化基板。

10.如权利要求1所述的方法，其中

所述基板为挠性基板，并且

所述扩散步骤和/或所述沉积步骤使用辊到辊法进行。