[发明专利]半导体器件和形成垂直互连的薄外形WLCSP的方法

权利要求书

1. 一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有多个第一半导体小片的半导体晶圆，所述第一半导体小片均具有活性表面；

将第二半导体小片安装到所述第一半导体小片上，所述第一半导体小片的所述活性表面定向成朝向所述第二半导体小片的活性表面；

将密封剂沉积在所述第一半导体小片和所述第二半导体小片上；

移除所述第二半导体小片的与所述活性表面相对的背面的一部分；

绕所述第二半导体小片形成导电柱；

在所述第二半导体小片的所述背面、密封剂和导电柱上形成互连结构，所述互连结构与所述导电柱电连接；

移除所述第一半导体小片的与所述活性表面相对的背面的一部分；和

将所述半导体晶圆分割为单独的半导体器件。

2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括将离散的半导体构件安装到所述第一半导体小片上。

3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括形成穿过所述第一半导体小片的导电通道。

4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括在所述第一半导体小片的所述背面上形成热沉。

5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括在所述第一半导体小片的所述背面上形成屏蔽层。

6. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括在所述第一半导体小片上安装并列的半导体小片。

7. 一种制造半导体器件的方法，包括：

提供具有多个第一半导体小片的半导体晶圆，所述第一半导体小片均具有活性表面；

将第二半导体小片安装到所述第一半导体小片上，所述第一半导体小片的所述活性表面定向成朝向所述第二半导体小片的活性表面；

绕所述第二半导体小片形成垂直的互连结构；

在所述第一半导体小片和所述第二半导体小片上沉积密封剂；

移除所述第二半导体小片的与所述活性表面相对的背面的一部分；

在所述第二半导体小片的所述背面、密封剂和垂直的互连结构上形成积层互连结构，所述积层互连结构与所述垂直的互连结构电连接；

移除所述第一半导体小片的与所述活性表面相对的背面的一部分；和

将所述半导体晶圆分割为单独的半导体器件。

8. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括将离散的半导体构件安装到所述第一半导体小片上。

9. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括形成穿过所述第一半导体小片的导电通道。

10. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括在所述第一半导体小片的所述背面上形成热沉。

11. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括在所述第一半导体小片的所述背面上形成屏蔽层。

12. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述垂直的互连结构包括导电柱，堆叠突起，杆和柱，或突起和柱。

13. 根据权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述垂直的互连结构包括：

在沉积所述密封剂之前，将引线框插入器安装在所述第一半导体小片和所述第二半导体小片上，所述引线框插入器包括板和从所述板延伸到所述第一半导体小片的本体；

绕所述引线框插入器的所述本体在所述第一半导体小片和所述第二半导体小片上沉积所述密封剂；和

移除所述板，留下所述密封剂内的所述本体作为绕所述第二半导体小片的导电柱。