[发明专利]用于生产半导体晶片的方法

权利要求书

1.用于生产半导体晶片的方法，其依次包括：

(a)从单晶切下的半导体晶片的同步双面材料去除加工，其中半导体晶片在两个旋转的环状工作盘之间加工，其中每个工作盘含平均粒度为5.0～20.0μm的研磨剂；

(b)用碱性介质处理半导体晶片的两个面；

(c)研磨半导体晶片的正面和背面，其中每一情况下半导体晶片的一面都通过晶片固定器稳固地固定，而另一面则通过研磨工具加工；其中研磨工具含平均粒度为1.0～10.0μm的研磨剂，其中研磨剂的平均粒度小于步骤(a)中使用的工作盘的研磨剂的平均粒度；

(d)通过含平均粒度为0.1～1.0μm的研磨剂的抛光垫抛光半导体晶片的两个面；

(e)通过不含研磨剂的切削抛光垫抛光半导体晶片的正面，同时提供含有研磨剂的抛光剂；

(f)正面的化学机械抛光(CMP)。

2.权利要求1的方法，其中，在步骤(a)中，半导体晶片以自由移动的方式位于多个载具之一中的切口中，通过滚动装置使所述载具旋转，半导体晶片从而在摆线轨道上移动，其中每个工作盘包括含研磨剂的工作层。

3.权利要求1或2的方法，其中半导体晶片在加工过程中其部分表面暂时离开工作间隙，所述工作间隙由工作盘的工作层界定，其中此偏移在径向的最大值大于半导体晶片直径的0％且至多为20％。

4.权利要求1～3之任一的方法，其中碱性介质为NaOH水溶液或KOH水溶液。

5.权利要求1～4之任一的方法，其中步骤(d)中使用的抛光垫包括研磨剂，所述研磨剂选自以下组中：碳化硅、氮化硼、金刚石和元素铈、铝、硅、锆的氧化物。

6.权利要求1～5之任一的方法，其中，在步骤(d)中，不含固体的抛光剂溶液引入到抛光垫与半导体晶片的两个面之间。

7.权利要求1～6之任一的方法，其中，在步骤(a)之前，为半导体晶片提供圆整的边缘。

8.权利要求1～7之任一的方法，其中半导体晶片的边缘在步骤(e)和步骤(f)之间抛光。

9.权利要求1～8之任一的方法，其中，在步骤(e)和(f)的半导体晶片正面的抛光过程中，半导体晶片通过其背面固定在载具上，其中使用厚度为至多3μm的均匀的薄胶合层固定。

10.权利要求1～8之任一的方法，其中，在步骤(e)和(f)的半导体晶片正面的抛光过程中，半导体晶片在抛光期间借助固定系统在其背面上通过粘接固定在一个切口中，所述固定系统固定在载具上并且包括成排的切口，切口尺寸为要接收的半导体晶片的尺寸。