[发明专利]在引线键合的芯片上叠置倒装芯片的方法无效
申请号: | 201110031396.2 | 申请日: | 2011-01-26 |
公开(公告)号: | CN102136434A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 刘宪明;吴亚伯 | 申请(专利权)人: | 马维尔国际贸易有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/98;H01L23/31;H01L25/065 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;李峥宇 |
地址: | 巴巴多斯*** | 国省代码: | 巴巴多斯;BB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引线 芯片 上叠置 倒装 方法 | ||
相关申请交叉引用
本申请要求于2010年1月27日提交的美国临时专利申请号61/298,843的优先权,在此出于全部目的而通过参考并入其全部公开内容,除了与本说明书不一致的那些部分(如果存在的话)。
技术领域
本公开内容的实施方式涉及集成电路领域,并且更具体地,涉及用于在引线键合芯片之上叠置倒装芯片的配置。
背景技术
半导体封装体可以包括不止一个裸片。单个封装体的多个裸片可以按照多个配置中的任何一个来布置。在某些封装体中,例如,裸片可以叠置。当裸片之一被引线键合至基底、并且在引线键合的裸片之上叠置有附加裸片时,该附加裸片必须避免接触引线键合裸片的引线,以避免损坏。
发明内容
本公开内容还提供一种制造半导体封装体的方法,该方法包括:向基底上安装第一芯片,其中第一芯片的有源表面背向基底,并且其中第一芯片包括位于第一芯片的有源表面上的多个凸点焊盘。可以从多个凸点焊盘中的第一凸点焊盘向基底键合引线。该方法还包括:在第一芯片的有源表面的至少部分上形成中间层,以及在该中间层中形成通孔,其中该通孔延伸至多个凸点焊盘中的第二凸点焊盘。第二芯片可以置于中间层上,其中第二芯片的有源表面朝向基底,并且其中第二芯片包括第三凸点焊盘,该第三凸点焊盘:(i)位于第二芯片的有源表面上,并且(ii)与中间层中形成的通孔对准。可以在以下一个或多个之上形成对应凸点:(i)位于第一芯片的有源表面上的第二凸点焊盘,以及(ii)位于第二芯片的有源表面上的第三凸点焊盘;并且可以加热对应凸点,以便在通孔内熔化该相应的凸点,从而在第二凸点焊盘与第三凸点焊盘之间形成电连接。
本公开内容还提供一种半导体封装体,包括:基底;以及安装在基底上的第一芯片,其中第一芯片的有源表面背向基底,并且其中第一芯片包括位于第一芯片的有源表面上的多个凸点焊盘。该封装体还包括引线,将多个凸点焊盘中的第一凸点焊盘键合至基底。中间层可以布置在第一芯片的有源表面的至少部分上,以及中间层中的通孔,其中该通孔延伸至多个凸点焊盘中的第二凸点焊盘。该封装体还可以包括布置在中间层上的第二芯片,其中第二芯片的有源表面朝向基底,并且其中第二芯片包括第三凸点焊盘,该第三凸点焊盘:(i)位于第二芯片的有源表面上,并且(ii)与中间层中形成的通孔对准。对应凸点可以形成于以下一个或多个之上:(i)位于第一芯片的有源表面上的第二凸点焊盘和(ii)位于第二芯片的有源表面上的第三凸点焊盘,并且形成于通孔内,其中对应凸点将第二凸点焊盘与第三凸点焊盘电连接。
附图说明
通过结合附图的下文详细描述,本发明的实施方式将易于理解。为了辅助此描述,相似的参考标号指示相似的结构元件。本发明的实施方式在附图中以示例而非限制的方式示出。
图1-图9示意性地示出了向引线键合芯片上叠置倒装芯片的各工艺操作之后的半导体封装体。
图10-图15示意性地示出了向引线键合芯片上叠置倒装芯片的各工艺操作之后的另一半导体封装体。
图16是用以制造包括叠置在引线键合芯片上的倒装芯片的半导体封装体的方法的流程图。
具体实施方式
本发明的实施方式提供了叠置在引线键合芯片之上的倒装芯片。在微电子领域中,术语“芯片”、“裸片”、“集成电路”、“单片器件”、“半导体器件”以及“微电子器件”经常互换使用。本发明适用于所有上述这些,它们在本领域中被一般地理解。
图1-图9示意性地示出了在向第一芯片104(例如,引线键合芯片)上叠置第二芯片102(例如,倒装芯片)的各工艺操作之后的半导体封装体100。在一个实现中,第二芯片102的有源表面106朝向第一芯片104的有源表面108。术语“有源表面”是指芯片的具有有源区域/区的面,这是本领域技术人员已知的。芯片的有源表面可以包括任何一个或多个各种电路部件,诸如晶体管、存储器单元、无源部件,等等。中间层110布置在第二芯片102与第一芯片104之间。中间层110包括填充有互连材料113的一个或多个通孔112,该互连材料113接触并且电耦合第二芯片102的有源表面106的一个或多个部分以及第一芯片104的有源表面108的一个或多个部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造