[发明专利]辐射探测器

权利要求书

1.一种根据预先给定的人眼的光谱灵敏度分布(9)的用于探测辐射的辐射探测器，其中所述灵敏度分布(9)在波长λ₀’处具有最大值，所述辐射探测器包括半导体本体(1)，所述半导体本体(1)具有用于产生探测器信号的且为了辐射接收而设置的有源区(5)，其特征在于，所述半导体本体(1)含有至少一种III-V族半导体材料，并且所述有源区(5)包括多个功能层。

2.根据权利要求1所述的辐射探测器，其特征在于，所述功能层(4a、4b、4c、4d)至少部分地吸收在包括大于所述波长λ₀’的波长的波长范围内的辐射(8)。

3.根据权利要求1或2所述的辐射探测器，其特征在于，所述功能层(4a、4b、4c、4d)具有不同的带隙和/或厚度。

4.根据权利要求1至3之一所述的辐射探测器，其特征在于，在所述有源区之后设置有过滤层结构(70)，所述过滤层结构(70)包括至少一个过滤层(7、7a、7b、7c)，其中所述过滤层结构(70)根据预先给定的所述光谱灵敏度分布(9)通过吸收在包括小于λ₀’的波长的波长范围中的辐射来确定所述探测器灵敏度(10)的短波侧(101)。

5.根据权利要求4所述的辐射探测器，其特征在于，所述过滤层结构(70)在朝向入射的辐射(8)的方向上设置在所述有源区(5)之后。

6.根据权利要求4或5所述的辐射探测器，其特征在于，所述过滤层结构(70)包括单个的过滤层(7)，所述过滤层(7)具有直接带隙和间接带隙。

7.根据权利要求6的辐射探测器，其特征在于，所述直接带隙大于在所述有源区(5)方面设置在所述过滤层(7)之后的功能层的带隙。

8.根据权利要求6或7所述的辐射探测器，其特征在于，所述过滤层(7)通过由间接带隙来吸收在包括小于λ₀的波长的波长范围内的辐射而确定所述探测器灵敏度的短波侧。

9.根据权利要求6至8之一所述的辐射探测器，其特征在于，所述直接带隙确定所述探测器灵敏度的短波边界。

10.根据权利要求6至9之一所述的辐射探测器，其特征在于，所述过滤层(7)的厚度大于1μm，特别是10μm或更多。

11.根据权利要求4至10之一所述的辐射探测器，其特征在于，所述过滤层结构(70)具有不同带隙和/或厚度的多个过滤层(7a、7b、7c)。

12.根据权利要求11的辐射探测器，其特征在于，所述过滤层结构(70)通过由相应的过滤层(7a、7b、7c)的直接带隙来吸收在包括小于λ₀的波长的波长范围内的辐射而确定所述探测器灵敏度(10)的短波侧。

13.根据权利要求11或12所述的辐射探测器，其特征在于，所述过滤层结构(70)具有1μm或更小的厚度。

14.根据上述权利要求中的至少之一所述的辐射探测器，其特征在于，所述功能层(4a、4b、4c、4d)根据预先给定的光谱灵敏度分布(9)通过其构造确定针对大于λ₀的波长的、所述探测器灵敏度(10)的长波侧(102)。

15.根据上述权利要求中的至少之一所述的辐射探测器，其特征在于，在所述半导体本体(1)中下属的功能层(4a、4b、4c、4d)的带隙至少部分地在朝向所述入射的辐射(8)的方向上增加。

16.根据上述权利要求中的至少之一所述的辐射探测器，其特征在于，所述功能层(4a、4b、4c、4d)或所述功能层的至少一部分基本上不掺杂。

17.根据上述权利要求中的至少之一所述的辐射探测器，其特征在于，所述有源区(5)包括至少一种异质结构。