[发明专利]一种多肽链段交联的杂化涂层的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110031454.1 申请日: 2011-01-28
公开(公告)号: CN102091350A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 李晓东;黄颖;赵士芳 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: A61L27/34 分类号: A61L27/34
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 张法高;赵杭丽
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 多肽 交联 涂层 制备 方法
【权利要求书】:

1. 一种多肽链段交联的杂化涂层的制备方法,其特征在于通过以下步骤实现: 

(1)制备多肽链段接枝的聚电解质:先将GRGDSPC(S-S)CPSDGRG多肽链段和聚电解质溶解在水溶液中配置成混合溶液,然后加入碳化二亚胺/N-羟基琥珀酰亚胺催化体系,室温下反应4小时,然后将所得到的产物在纯净水中透析1周,在透析液中直接加入木苏糖或者谷胱甘肽溶解,常温下保持4小时,然后在纯净水中透析1周,冻干,得到多肽链段接枝的聚电解质;

其中:所述聚电解质选用透明质酸、碱溶明胶、聚谷氨酸、聚天冬氨酸、硫酸软骨素中的一种,得到的产物是多肽链段接枝的聚阴电解质,聚阴电解质的分子量为100-5000000D;

(2)配置聚电解质溶液:将步骤(1)获得的多肽链段接枝的聚阴电解质配置成溶液,作为聚阴离子电解质溶液;将Ι型胶原配置成溶液,然后将羟基磷灰石纳米粒子分散于胶原溶液中,作为聚阳电解质溶液;

(3)制备多肽链段交联的聚电解质涂层:将钛基种植体浸入步骤(2)中的聚阳电解质溶液,沉积,充分水洗,然后浸入到步骤(2)配置的多肽链段接枝的聚阴电解质溶液,沉积,充分水洗;以上操作记为一次沉积循环,根据需要重复以上循环操作,得到聚电解质复合层;然后,该聚电解质复合层在氯胺T溶液或者双氧水溶液中浸泡,取出,充分水洗,得到多肽链段交联的杂化涂层。

2. 根据权利要求1所述的一种多肽链段交联的杂化涂层的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,聚电解质的浓度为0.1-50mg/ml,多肽链段的量与聚电解质中羧基含量的摩尔比为1:10000-1:1,碳化二亚胺/N-羟基琥珀酰亚胺的用量为1:1-20:1,碳化二亚胺的用量与多肽链段的用量的摩尔比为1:1-10:1,所用的木苏糖或者谷胱甘肽的浓度与碳化二亚胺/N-羟基琥珀酰亚胺体系中双硫键的摩尔比为1:1-50:1。

3. 根据权利要求1所述的一种多肽链段交联的杂化涂层的制备方法,其特征在于,步骤(2)中聚电解质溶液的浓度范围为0.1mg/ml-10mg/ml,其中聚电解质溶液中NaCl浓度为0.1-0.2mol/L。

4. 根据权利要求1所述的一种多肽链段交联的杂化涂层的制备方法,其特征在于,步骤(2)中纳米羟基磷灰石的粒径为20~100nm。

5. 根据权利要求1所述的一种多肽链段交联的杂化涂层的制备方法,其特征在于,步骤(3)中聚电解质层所用的沉积时间为5-20min,聚电解质复合层的沉积循环为0.5到50次。

6. 根据权利要求1所述的一种多肽链段交联的杂化涂层的制备方法,其特征在于,步骤(3)中聚电解质复合层在氯胺T中的浸泡时间为5-180秒,氯胺T的浓度为0.5-10 mM,在双氧水中浸泡时间为5-60分钟,双氧水的浓度为1-50 mM。

7. 根据权利要求1所述的一种多肽链段交联的杂化涂层的制备方法,其特征在于,步骤(3)中所用的种植体表面为永久植入型种植体表面,选用经氧化性酸处理的纯钛或钛合金表面、非氧化型酸处理的纯钛或钛合金种植体表面、喷砂/酸处理的表面、碱热法得到的纯钛或钛合金种植体表面、电化学得到的表面、羟基磷灰石涂层的纯钛或钛合金种植体表面、钛或羟基磷灰石喷浆表面的纯钛或钛合金种植体表面、钛喷浆/酸处理的纯钛或钛合金表面、离子注入的纯钛或钛合金种植体表面、激光处理的纯钛或钛合金种植体表面。

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