[发明专利]一种γ射线探测器晶体阵列的制作方法

权利要求书

1.一种γ射线探测器晶体阵列的制作方法，其特征在于包括以下步骤：

    1）将原始的晶体材料切割形成整块的矩形原始晶体块，并对矩形原始晶体块进行机械表面处理；

2）通过粘合剂将光导介质粘合在原始晶体块的下表面；所述光导介质与原始晶体块的粘合面不小于粘合的原始晶体块的该截面；

3）对原始晶体块进行切割，形成晶体条阵列；

4）对阵列式排列的各晶体条进行表面抛光处理；

5）在各晶体条之间的间隙进行反光材料的镀膜或填充处理；

6）对所述晶体条阵列的上表面和四周表面进行反光材料的镀膜或包裹处理。

2.根据权利要求1所述γ射线探测器晶体阵列的制作方法，其特征在于所述步骤2）中，所述粘合剂为紫外线固化的光学胶水，或自固化的光学胶水，或具有光学透明特性的粘附聚合物。

3.根据权利要求2所述γ射线探测器晶体阵列的制作方法，其特征在于所述具有光学透明特性的粘附聚合物为聚二甲基硅氧烷。

4.根据权利要求1所述γ射线探测器晶体阵列的制作方法，其特征在于所述步骤3）中，对整个阵列采用同一深度切割。

5.根据权利要求1所述γ射线探测器晶体阵列的制作方法，其特征在于所述步骤3）中，对整个阵列采用不同深度切割。

6.根据权利要求1或4或5所述γ射线探测器晶体阵列的制作方法，其特征在于所述步骤3）中，切割的深度位于矩形原始晶体块内部，或切割的深度到达光导介质的上表面，或切割的深度进入光导介质。

7.根据权利要求1所述γ射线探测器晶体阵列的制作方法，其特征在于所述步骤3）中，采用机械刀具切割，或激光切割。

8.根据权利要求1所述γ射线探测器晶体阵列的制作方法，其特征在于所述步骤4）中，所述表面抛光处理为超声波处理或化学腐蚀。

9.根据权利要求1所述γ射线探测器晶体阵列的制作方法，其特征在于所述反光材料为聚四氟乙烯或硫酸钡。