[发明专利]高集成度晶圆扇出封装结构有效
| 申请号： | 201110032264.1 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102169879A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 陶玉娟;石磊;沈海军 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成度 晶圆扇出 封装 结构 | ||
1.高集成度晶圆扇出封装结构，其特征在于，包括：
被封装单元，包括芯片及无源器件，所述被封装单元具有功能面；
与被封装单元的功能面相对的另一面形成有封料层，所述封料层对被封装单元进行封装固化，所述封料层表面对应于被封装单元之间设有凹槽。
2.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装结构，其特征在于：所述功能面是指被封装单元中芯片的金属电极和无源器件的焊盘所在表面。
3.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装结构，其特征在于：所述封料层还填充于所述芯片与芯片之间、芯片与无源器件之间和/或无源器件和无源器件之间的空间。
4.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装结构，其特征在于：所述无源器件包括电容、电阻和电感。
5.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装结构，其特征在于：所述封料层的材料为环氧树脂。
6.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装结构，其特征在于：所述封料层通过转注、压缩或印刷的方法形成在所述芯片和无源器件上。
7.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装结构，其特征在于：所述凹槽有多条，每一条凹槽围绕所述被封装单元而封闭。
8.如权利要求7所述的高集成度晶圆扇出封装结构，其特征在于：每一条凹槽所围成的形状包括正方形、长方形或圆形。
9.如权利要求8所述的高集成度晶圆扇出封装结构，其特征在于：每一条凹槽之间保持相同距离。
10.如权利要求9所述的高集成度晶圆扇出封装结构，其特征在于：所述凹槽成矩阵排列。
11.如权利要求10所述的高集成度晶圆扇出封装结构，其特征在于：所述凹槽的横截面包括U型、V型或凹型。
12.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装结构，其特征在于：所述芯片包括多个不同的芯片。
13.如权利要求1所述的高集成度晶圆扇出封装结构，其特征在于：所述封装单元的功能面形成有金属互连结构。
14.如权利要求13所述的高集成度晶圆扇出封装结构，其特征在于：所述金属互连结构包括：依次位于芯片和无源器件的功能面上的金属再布线层和球下金属层，及位于球下金属层表面的金属焊球，所述球下金属层和金属再布线层间还形成有保护膜。
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