[发明专利]高密度系统级芯片封装结构有效
| 申请号： | 201110032390.7 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102176452A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 陶玉娟;石磊;李红雷 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/31;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 系统 芯片 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高密度系统级芯片封装结构，其特征在于，包括：
芯片和无源器件，所述芯片和无源器件具有功能面；
固化的封料层，位于所述芯片和无源器件的远离所述功能面的一侧，所述固化的封料层将所述芯片和无源器件进行封装。
2.如权利要求1所述的高密度系统级芯片封装结构，其特征在于：所述封料层还填充于所述芯片与芯片之间、芯片与无源器件之间和/或无源器件和无源器件之间的空间。
3.如权利要求1所述的高密度系统级芯片封装结构，其特征在于：所述无源器件包括电容、电阻和电感。
4.如权利要求1所述的高密度系统级芯片封装结构，其特征在于：所述封料层的材料为环氧树脂。
5.如权利要求1所述的高密度系统级芯片封装结构，其特征在于：所述封料层通过转注、压缩或印刷的方法形成在所述芯片和无源器件上。
6.如权利要求1所述的高密度系统级芯片封装结构，其特征在于：所述芯片包括多个不同的芯片。
7.如权利要求1所述的高密度系统级芯片封装结构，其特征在于，还包括：
金属再布线层，位于所述芯片和无源器件的功能面上，所述金属再布线层内形成有金属再布线；
保护膜层，位于所述金属再布线层上；
开口，位于所述保护膜层上，所述开口暴露出所述金属再布线；
球下金属层，位于所述开口内，所述球下金属层与所述金属再布线连接；
金属焊球，位于所述球下金属层上。
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