[发明专利]比较电路有效
| 申请号： | 201110032446.9 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102176669A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H03K5/22 | 分类号： | H03K5/22 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 比较 电路 | ||
1.一种比较电路，用于调整电荷泵的输出电压，其至少包括：
电平转换器，其输入端连接至一分压器，用于将分压器的输出波动进行反相放大；
判决器，连接至该电平转换器，用于对该电平转换器的输出进行反相放大后送入一反相器；
反相器，其输入端连接至该判决器的输出端，将该判决器的输出再次反相后输出一反馈信号至该电荷泵；以及
自偏置电路，自一带隙基准电压产生电路接收一基准电压，对该基准电压进行自偏置稳定后输出二次基准电压电平至该判决器，为该判决器提供直流偏置以将该判决器偏置在灵敏的工作点上。
2.如权利要求1所述的比较电路，其特征在于：该比较电路还包括第一缓冲电路，该第一缓冲电路连接在该带隙基准电压产生电路与该自偏置电路之间，用于将该基准电压进行缓冲后再送入至该自偏置电路。
3.如权利要求1所述的比较电路，其特征在于：该比较电路还包括第二缓冲电路，该第二缓冲电路连接在该自偏置电路与该判决器之间，用于将该二次基准电压进行缓冲后再送入至该判决器。
4.如权利要求3所述的电压调节电路，其特征在于：该电平转换器包括第一PMOS晶体管与第二NMOS晶体管，该第一PMOS晶体管源极接至电源电压，漏极与该第一NMOS晶体管相连后连接至该判决器，栅极与该第一NMOS晶体管栅极互连后连接至该分压器，该第一NMOS晶体管源极接地。
5.如权利要求4所述的电压调节电路，其特征在于：该判决器包括第二PMOS晶体管与第二NMOS晶体管，该第二PMOS晶体管源极接至该电源电压，漏极与该第二NMOS晶体管相连后连接至该反相器输入端，栅极与该第二NMOS晶体管栅极互连后连接至该第二缓冲电路，该第二NMOS晶体管源极接地。
6.如权利要求5所述的电压调节电路，其特征在于：该自偏置电路包括第三PMOS晶体管与第三NMOS晶体管，该第三PMOS晶体管源极接至该电源电压，漏极与该第三NMOS晶体管相连后连接至该第二缓冲电路，栅极与该第三NMOS晶体管栅极互连后连接至该第二缓冲器与该电平转换器，且该第三PMOS晶体管与该第三NMOS晶体管均栅漏互连相连。
7.如权利要求6所述的电压调节电路，其特征在于：该第一缓冲电路包括第四PMOS晶体管与第四NMOS晶体管，该第四PMOS晶体管源极接至该电源电压，漏极与该第四NMOS晶体管相连后连接至该自偏置电路，栅极与该第四NMOS晶体管栅极互连后连接至该带隙基准电压产生电路。
8.如权利要求7所述的电压调节电路，其特征在于：该第二缓冲电路包括第五PMOS晶体管与第五NMOS晶体管，该第五PMOS晶体管源极接至该电源电压，漏极与该第五NMOS晶体管相连后连接至该判决器，栅极与该第五NMOS晶体管栅极互连后连接至该自偏置电路。
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