[发明专利]金属硅化物薄膜电阻模型的提取方法有效
| 申请号： | 201110032447.3 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102175919A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 张昊 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/02 | 分类号： | G01R27/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属硅 薄膜 电阻 模型 提取 方法 | ||
1.一种金属硅化物薄膜电阻模型的提取方法，其中，所述金属硅化物薄膜制备在半导体集成电路的多晶硅栅上，所述半导体集成电路包括多层金属互连线，其特征在于，该方法包括如下步骤：
将所述金属硅化物薄膜的相对两端分别用第一金属线连接至两引脚上，测量所述两引脚之间的第一电阻，其中，所述第一金属线为所述多层金属互连线中的一层金属互连线；
将所述两引脚短路，测量所述两引脚之间的寄生电阻；
将所述第一电阻减去所述寄生电阻，得到所述金属硅化物薄膜的实际电阻。
2.如权利要求1所述的金属硅化物薄膜电阻模型的提取方法，其特征在于，所述第一电阻及所述寄生电阻通过探针测量得到。
3.如权利要求2所述的金属硅化物薄膜电阻模型的提取方法，其特征在于，所述寄生电阻包括探针电阻、引脚电阻、探针与引脚的接触电阻以及第一金属线电阻。
4.如权利要求3所述的金属硅化物薄膜电阻模型的提取方法，其特征在于，所述测量两引脚之间的寄生电阻包括如下步骤：
(1)判断所述半导体器件是大方块数器件还是小方块数器件，若是大方块数器件，则进行步骤(2)；若是小方块数器件，则进行步骤(3)；
(2)将所述两引脚用第二金属线短接，用探针测量所述两引脚之间的寄生电阻，其中，所述第二金属线的电阻比所述金属硅化物薄膜电阻小2～3个数量级；
(3)将一第二金属线的相对两端分别用所述第一金属线连接至所述两引脚上，测量所述两引脚之间的寄生电阻，其中，所述第二金属线的电阻比所述金属硅化物薄膜电阻小2～3个数量级。
5.如权利要求4所述的金属硅化物薄膜电阻模型的提取方法，其特征在于，所述第二金属线由多根第三金属线并联而成，其中，每一根所述第三金属线由所述半导体集成电路前三层金属互连线并联而成，或由所有层的多层金属互连线并联而成。
6.如权利要求5所述的金属硅化物薄膜电阻模型的提取方法，其特征在于，所述第二金属线由三根第三金属线并联而成。
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