[发明专利]射频识别标签及其制造方法

权利要求书

1.一种射频识别标签，其中射频识别标签包括布置在硅片的正面的核心电路块以及片上天线，其中所述硅片包括布置在所述硅片的背面的体硅层，其特征在于，所述体硅层包括：深槽阵列衬底层、以及布置于深槽阵列衬底层上方的剩余体硅层。

2.根据权利要求1所述的射频识别标签，其特征在于，深槽阵列衬底层被形成在所述片上天线的下方。

3.根据权利要求1或2所述的射频识别标签，其特征在于，所述深槽阵列衬底层具有电感耦合等离子深槽阵列和/或反应离子刻蚀深槽阵列。

4.根据权利要求1或2所述的射频识别标签，其特征在于，所述体硅层的厚度为1-40微米。

5.根据权利要求1或2所述的射频识别标签，其特征在于，所述深槽阵列中的深槽的间距介于1-10um的范围内。

6.根据权利要求1或2所述的射频识别标签，其特征在于，所述深槽阵列中的深槽的截面的开孔直径介于1-10um的范围内。

7.一种制备射频识别标签的方法，其中射频识别标签包括硅片，其特征在于，所述方法包括：

在硅片正面形成核心电路块以及片上天线；以及

在硅片背面形成深槽阵列衬底层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，深槽阵列衬底层被形成在所述所述片上天线的下方。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述深槽阵列衬底层具有电感耦合等离子深槽阵列和/或反应离子刻蚀深槽阵列。

10.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，在所述在硅片背面形成深槽阵列衬底层的步骤中，通过电感耦合等离子刻蚀形成所述深槽阵列衬底层，其中在电感耦合等离子刻蚀反应后形成两层，分别为硅片的剩余体硅层和深槽阵列衬底层。

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在电感耦合等离子刻蚀工艺中，所述深槽阵列衬底层中的电感耦合等离子深槽阵列和/或反应离子刻蚀深槽阵列未穿透所述硅片的表面。