[发明专利]堆叠半导体封装有效

专利信息
申请号: 201110032607.4 申请日: 2011-01-30
公开(公告)号: CN102163595A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 裵振浩;金基永;南宗铉 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/488
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 彭久云
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 堆叠 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种堆叠半导体封装,包括:

半导体芯片模块,至少包括两个子半导体芯片模块,所述子半导体芯片模块每一个都具有子基板以及堆叠在所述子基板上的至少两个第二半导体芯片,在所述子基板中埋设有第一半导体芯片;以及

主基板,支撑所述半导体芯片模块。

2.根据权利要求1所述的堆叠半导体封装,其中所述第一半导体芯片和所述至少两个半导体芯片电连接到所述子基板,并且所述主基板电连接到所述至少两个子半导体芯片模块。

3.根据权利要求1所述的堆叠半导体封装,其中所述子基板具有第一表面和与所述第一表面背离的第二表面,所述第一表面带有第一子连接焊盘,所述第二半导体芯片每一个都具有与所述第一子连接焊盘连接的第二结合焊盘,并且所述主基板包括与各第一子连接焊盘连接的主连接焊盘。

4.根据权利要求3所述的堆叠半导体封装,其中所述子基板包括:

支撑层,附着到所述第一半导体芯片的第二表面,其中所述第一半导体芯片的第一表面上设置第一结合焊盘;

凸块,形成在所述第一结合焊盘之上,并且连接所述第一结合焊盘与所述第一子连接焊盘;

绝缘层,覆盖所述支撑层的上表面以及所述第一半导体芯片,暴露所述凸块的上端,并且支撑所述第一子连接焊盘;以及

阻焊剂,形成在所述绝缘层之上,以暴露所述第一子连接焊盘。

5.根据权利要求3所述的堆叠半导体封装,其中所述第二半导体芯片堆叠为彼此偏移,从而暴露各第二结合焊盘。

6.根据权利要求3所述的堆叠半导体封装,其中所述第一子连接焊盘和各第二结合焊盘通过连接配线彼此连接。

7.根据权利要求3所述的堆叠半导体封装,其中所述第一子连接焊盘和所述主连接焊盘通过连接配线彼此连接。

8.根据权利要求3所述的堆叠半导体封装,还包括:

控制器芯片,附着到所述半导体芯片模块上并且具有第三结合焊盘,所述第三结合焊盘与构成所述半导体芯片模块的子半导体芯片模块中任何一个子半导体芯片模块的所述第一子连接焊盘连接。

9.根据权利要求8所述的堆叠半导体封装,其中所述第三结合焊盘和所述第一子连接焊盘通过连接配线彼此连接。

10.根据权利要求3所述的堆叠半导体封装,其中所述子半导体芯片模块中至少一个子半导体芯片模块中包括的子基板包括:

第二子连接焊盘,形成在所述第一表面之上并且与所述主连接焊盘连接;以及

控制器芯片,在所述第一半导体芯片的一侧与所述第一半导体芯片一起埋设,并且具有与所述第二子连接焊盘连接的第三结合焊盘。

11.根据权利要求10所述的堆叠半导体封装,其中包括所述控制器芯片的所述子基板包括:

第一结合焊盘,设置在所述第一半导体芯片的第一表面之上;

支撑层,附着到所述第一半导体芯片的第二表面,所述第一半导体芯片的第二表面背离所述第一半导体芯片的第一表面;

第一凸块,形成在所述第一结合焊盘之上并且连接所述第一结合焊盘与所述第一子连接焊盘;

第二凸块,形成在所述第三结合焊盘之上并且连接所述第三结合焊盘与所述第二子连接焊盘;

绝缘层,覆盖所述支撑层的上表面以及所述第一半导体芯片和所述控制器芯片,暴露所述第一凸块和第二凸块的上端,并且支撑所述第一子连接焊盘和第二子连接焊盘;以及

阻焊剂,形成在所述绝缘层之上,以暴露所述第一子连接焊盘和第二子连接焊盘。

12.根据权利要求10所述的堆叠半导体封装,其中所述主连接焊盘和所述第二子连接焊盘通过连接配线彼此连接。

13.根据权利要求10所述的堆叠半导体封装,其中所述第二子连接焊盘和所述第三结合焊盘通过连接配线彼此连接。

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