[发明专利]光电装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及光电装置及其制造方法。

背景技术

目前，伴随着现有能源如石油、煤炭等将会枯竭的预测，人们越来越关注替代这些现有能源的可替代能源。其中，太阳能因其资源丰富且不污染环境而特别受到瞩目。

直接将太阳能转换为电能的装置是光电装置，即太阳能电池。光电装置主要利用了半导体接合的光电现象。即，如果光入射到分别掺杂了P型和n型杂质的半导体p-i-n接合面并被吸收，则光能在半导体内部产生电子和空穴，所产生的电子和空穴通过内部电场发生分离，由此使光电产生在p-i-n接合两端上。此时，如果在接合两端上形成电极，并由导线将其连接，则电流通过电极和导线而流向外部。

发明内容

本发明提供一种制造光电装置时能够降低人工费和设备费的光电装置及其制造方法。

另外，本发明提供能够缩短光电装置的完成时间的光电装置及其制造方法。

本发明所要达到的技术课题，不局限于上述的技术课题，本发明所属技术领域的具有一般知识的人可以根据下面的叙述能够清楚地理解其它的技术课题。

本发明光电装置的制造方法，包括以下步骤：在基板上依次形成第一电极、光电转换层和第二电极；形成用来覆盖所述第二电极的绝缘层；形成沟槽线，即形成第一沟槽线和第二沟槽线以使所述第二电极暴露在所述第二电极上的所述绝缘层上，且在所述第一沟槽线和所述第二沟槽线之间至少包括两个光电单元；形成导电性母线，将导电物质填充在所述第一沟槽线和第二沟槽线以形成第一导电性母线和第二导电性母线。

另外，本发明的光电装置，包括：光电基板，在基板上依次形成第一电极、光电转换层和第二电极；绝缘层，其包括形成在所述光电基板且具有到达至所述第二电极表面的深度的第一沟槽线和第二沟槽线；以及第一导电性母线和第二导电性母线，其通过在所述第一沟槽线和第二沟槽线上填充导电物质而形成；其中，在所述第一沟槽线和所述第二沟槽线之间至少包括两个光电单元。

如果使用根据本发明的光电装置及其制造方法，则具有能够降低制造光电装置时的人工费和设备费的优点。

另外，还具有能够缩短光电装置的完成时间的优点。

附图说明

图1a至图1g为根据本发明实施例的光电装置中用于说明光电基板制造方法的图；

图2a至图2d为根据本发明实施例的光电装置中用于说明绝缘层制造方法的图；

图3a至图3c为对根据本发明第一实施例的光电装置及其制造方法进行说明的图；

图4为对根据本发明第二实施例的光电装置及其制造方法进行说明的图；

图5a至图5b为对根据本发明第三实施例的光电装置及其制造方法进行说明的图；

图6为根据本发明第四实施例的光电装置及其制造方法进行说明的图；

图7a至图7d为根据本发明第五实施例的光电装置及其制造方法进行说明的图；

图8a至图8d为根据本发明第六实施例的光电装置及其制造方法进行说明的图；

图9a至图9g为根据本发明第七实施例的光电装置及其制造方法进行说明的图。

符号说明

110：光电基板

111：基板

113：第一电极

115：光电转换层

117：第二电极

120：绝缘层

130：导电性母线

140：导电性配线

150：接线盒

160：保护部

具体实施方式

以下参照附图对本发明进行说明。对本发明进行说明时，为了不脱离本发明要点省略对本领域技术人员来说是显而易见的技术内容。另外，以下说明的技术用语仅仅是为了便于理解本发明而使用，要注意其他制造公司或研究机构可以使用与本发明的技术用语具有相同用途的其它用语。

图1a至图1g为在本发明实施例的光电装置中用于说明光电基板制造方法的图。

如图1a所示，先准备基板111。基板111可以为绝缘透明基板111。

如图1b所示，在基板111上形成第一电极113。在本发明实施例中，第一电极113可以通过化学气相沉积法(CVD法)来形成，也可以通过氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)等透明导电性氧化物((TCO：Transparent ConductiveOxide))来形成。