[发明专利]用于通过使用熔融颗粒产生由硅构成的单晶体的方法

权利要求书

1.一种用于通过使用熔融颗粒产生由硅构成的单晶体的方法，所述方法包括：

借助于第一感应加热线圈，在生长的单晶体与由硅构成的锥形管的下端之间产生第一体积的熔融硅，所述管在下端被封闭，且围出由硅构成的转动板的中心开口，所述管延伸到所述板的下方，且所述第一感应加热线圈设置在所述板的下方；

借助于设置在所述板的上方的第二感应加热线圈产生第二体积的熔融硅；

将所述管的下端熔化到产生用于第二体积的熔融硅的通道开口的程度，所述通道开口在第二体积的熔融硅还没有出现或少于第一体积的熔融硅的体积的两倍时产生；以及

在消耗第一和第二体积的熔融硅的情况下使单晶体硅在生长的单晶体上结晶。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括：通过降低第二感应加热线圈的伸入到所述管中的区段来支持通道开口的产生。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法包括：通过从板的上侧和管的内壁熔化硅产生第二体积的熔融硅的一部分。

4.如权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于，所述方法包括：在单晶体的锥形延伸区段的结晶过程中或在单晶体的锥形延伸区段的结晶之后开始熔化传送到所述板的颗粒。