[发明专利]半导体功率模块、电力转换装置和水路形成体的制造方法

权利要求书

1.一种半导体功率模块，其具备与电容模块连接的直流端子，并且该半导体功率模块与冷却用的水路形成体组合在一起来使用，所述半导体功率模块的特征在于，

所述直流端子比所述水路形成体向所述电容模块侧凸出。

2.一种逆变器模块或者整流器模块，其特征在于，

具有权利要求1所述的半导体功率模块和所述水路形成体。

3.根据权利要求1所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述半导体功率模块还具有：散热器，其通过与所述水路形成体内的冷媒接触来对从多个电力用半导体元件产生的热进行散热；以及交流端子，

所述直流端子和所述交流端子从半导体功率模块主体突出，

所述散热器配置在所述半导体功率模块主体的、所述半导体功率模块与所述水路形成体进行组合的一侧。

4.根据权利要求3所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述直流端子设置在所述半导体功率模块的外周的一条边上，

所述交流端子设置在与所述直流端子相反的边上，

所述半导体功率模块还具有：层叠平板，其设置在所述直流端子与所述交流端子之间；以及弱电系统的电极，其设置在与设置有所述直流端子和所述交流端子的边不同的边上。

5.根据权利要求3或4所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述散热器和所述水路形成体之间存在间隙。

6.根据权利要求4所述的半导体功率模块，其特征在于，

在所述直流端子与所述层叠平板的接触位置，设置有具有曲率的导体板。

7.根据权利要求5所述的半导体功率模块，其特征在于，

在所述散热器的水路形成体侧设置有散热翅片，该散热翅片的末端与水路形成体之间的间隙在0.1mm以上且在2.0mm以内。

8.根据权利要求5所述的半导体功率模块，其特征在于，

所述散热器的基座面与水路形成体之间的间隙在0.5mm以上。

9.根据权利要求5所述的半导体功率模块，其特征在于，

在所述散热器与水路形成体之间设置有增加流速用部件。

10.一种电力转换装置，其具有：权利要求1至9中的任一项所述的半导体功率模块；以及通过所述直流端子与所述半导体功率模块连接的所述电容模块，所述电力转换装置的特征在于，

所述散热器具有形成有散热翅片的基座，

所述电力转换装置在壳体壁设置有所述水路形成体，

所述半导体功率模块具有搭载有多个电力用半导体元件的绝缘基板，并且，该绝缘基板与所述散热器在所述散热器的所述基座的形成有所述散热翅片的面的相反侧的面进行接合，而且，

所述半导体功率模块以所述散热翅片浸没到所述水路形成体的开口部中的方式安装于所述壳体壁，

所述电容模块与所述半导体功率模块配置在大致同一平面上，并且所述电容模块与所述半导体功率模块相邻地配置。

11.根据权利要求10所述的电力转换装置，其特征在于，

所述水路形成体具有入口管和出口管，

所述水路形成体中的除了所述入口管和所述出口管之外的部分的底面积与所述半导体功率模块的底面积相等，或者在所述半导体功率模块的底面积以下。

12.根据权利要求11所述的电力转换装置，其特征在于，

所述入口管和所述出口管设置在所述水路形成体的单侧的面上，并且，在搭载多个半导体功率模块的部位设置有多个开口部，在该多个开口部的各个开口部中搭载半导体功率模块，并且，

所述电力转换装置具有：将冷媒从所述入口管供给到各所述半导体功率模块的流路；以及将冷媒从各半导体功率模块排出到出口管的流路。

13.根据权利要求12所述的电力转换装置，其特征在于，

将冷媒从所述入口管供给到各半导体功率模块的流路和将冷媒从所述各半导体功率模块排出到出口管的流路，位于搭载所述半导体功率模块的开口部的下层。

14.根据权利要求13所述的电力转换装置，其特征在于，

将冷媒从所述入口管供给到各半导体功率模块的多个流路和将冷媒从所述各半导体功率模块排出到出口管的多个流路，在搭载所述半导体功率模块的开口部的下层进行分分叉和合流。