[发明专利]基板加热装置和基板加热方法以及基板处理系统无效
申请号: | 201110032742.9 | 申请日: | 2011-01-27 |
公开(公告)号: | CN102169811A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | 大久保智也;杉山正树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 装置 方法 以及 处理 系统 | ||
1.一种基板加热装置,其特征在于,包括:
能够在减压状态下保持的容器;
以在上面具有多个基板支承销,与上面之间设置间隙的状态载置基板的基板载置台;
隔着所述基板载置台对基板进行加热的加热器;
调整所述容器内压力的压力调整机构;
通过控制所述加热器的输出,控制所述基板载置台的温度的温度控制部;和
通过控制所述压力调整机构,控制所述容器内的压力的压力控制部,其中,
所述压力控制部,当基板被载置在所述载置台时,将所述容器内的气体压力控制为能够通过气体进行热传递的第一压力,当基板的温度达到规定的温度时,将所述容器内的气体压力控制为实质上不发生通过气体热传递的第二压力。
2.如权利要求1所述的基板加热装置,其特征在于,
所述压力调整机构具有:
将压力调整气体导入所述容器的压力调整气体供给机构;
对所述容器进行排气的排气机构;
控制向所述容器内的压力调整气体的供给的流量控制器;和
控制所述容器的排气的压力控制阀。
3.如权利要求1或2所述的基板加热装置,其特征在于,
所述第一压力为1Torr以上。
4.如权利要求1或2中任一项所述的基板加热装置,其特征在于,
所述第二压力为100mTorr以下。
5.如权利要求1或2中任一项所述的基板加热装置,其特征在于,
所述基板支承销的高度能够改变,通过调节所述基板支承销的高度,能够调节基板下面与所述载置台上面之间的距离。
6.如权利要求5所述的基板加热装置,其特征在于,
所述支承销具有螺纹部,该螺纹部与所述基板载置台螺合,通过使所述支承销旋转,能够调节基板下面与所述载置台上面之间的距离。
7.如权利要求1或2中任一项所述的基板加热装置,其特征在于,
具有多个所述基板载置台,将多个基板一并加热。
8.一种基板加热方法,其在减压状态下能够保持的容器内,在基板载置台的上面与基板之间设有间隙的状态下,将基板载置在上面具有多个基板支承销的基板载置台上,经由所述基板载置台通过加热器对基板进行加热,其中,该基板加热方法的特征在于,
当基板被载置在所述载置台时,将所述容器内的气体压力控制为能够通过气体进行热传递的第一压力而使基板升温,当基板的温度达到规定的温度时,将所述容器内的气体压力控制为实质上不发生通过气体热传递的第二压力,将基板的温度保持在设定温度。
9.如权利要求8所述的基板加热方法,其特征在于,
所述第一压力为1Torr以上。
10.如权利要求8或9所述的基板加热方法,其特征在于,
所述第二压力为100mTorr以下。
11.如权利要求8或9中任一项所述的基板加热方法,其特征在于,
通过调整所述基板支承销的高度,调节基板下面与所述载置台上面之间的距离。
12.一种基板处理系统,其特征在于,包括:
在减压气氛下对基板施加规定的处理的多个处理室;
收容在所述处理室进行处理的基板,在将基板搬送到处理室之前在减压气氛下对基板进行加热的如权利要求1或2中任一项所述的基板加热装置;
收容在所述处理室进行处理的基板,在将基板搬送到处理室之前将基板保持为减压气氛的真空预备室;和
与所述多个处理室、所述加热装置、所述真空预备室连接,在真空预备室、所述多个处理室、所述真空预备室之间设置有搬送基板的基板搬送装置,且被保持在减压气氛的共同搬送室,其中,
通过所述基板搬送装置,从所述真空预备室向所述加热装置搬送基板,对基板预备加热,并将被预备加热后的基板搬送到所述处理室中的任一个并施加规定的处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造