[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一层间绝缘膜，其置于衬底之上；

多个第一虚层，其置于所述第一层间绝缘膜之上，布置成在第一方向中在其任意相邻两个层之间具有预定间隔，并且在与所述第一方向垂直的第二方向中延伸；

第二层间绝缘膜，其覆盖所述第一虚层并且具有平坦化表面；以及

多个金属电阻器层，其置于所述第二层间绝缘膜之上，并且在所述第一方向中延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第三层间绝缘膜，其覆盖所述金属电阻器层；以及

钝化膜，其覆盖所述第三层间绝缘膜，

其中所述第一虚层在与所述半导体器件的最上层互连层的相同制造步骤中形成。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述金属电阻器层具有两层结构，所述两层结构具有金属互连层和抗氧化膜层。

4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，

其中所述钝化膜具有平坦表面。

5.根据权利要求2或4所述的半导体器件，还包括多个垫层，其置于所述第一层间绝缘膜之上，布置在所述第一方向中从所述第一虚层两侧将所述第一虚层夹在中间的位置处，并且在所述第二方向中以预定间隔布置，

其中所述金属电阻器层在所述第一方向中延伸并且布置成在所述第二方向中在其任意相邻两个层之间具有预定间隔，以及

其中所述金属电阻器层经由穿透所述第二层间绝缘膜的接触插塞电耦合到所述垫层，从而形成串联连接。

6.根据权利要求2至5中任一权利要求所述的半导体器件，还包括多个焊盘开口部分，所述最上层互连层的表面从所述焊盘开口部分暴露，

其中在所述焊盘开口部分的边缘部分与所述金属电阻器层之间的距离为100μm或更大。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第三层间绝缘膜，其覆盖所述金属电阻器层；以及

多个第二虚层，其置于所述第三层间绝缘膜之上，以在所述第一方向中在所述第二虚层的任意相邻两个层之间具有预定间隔并且在所述第二方向中延伸，

其中所述第一虚层在与所述第一层间绝缘膜之上形成的第一互连层的相同制造步骤中形成，以及

其中所述第二虚层在与所述第三层间绝缘膜之上形成的第二互连层的相同制造步骤中形成。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述金属电阻器层具有两层结构，所述两层结构具有金属互连层和抗氧化膜层。

9.根据权利要求7或8所述的半导体器件，还包括多个垫层，其设置在所述第一层间绝缘膜之上，置于在所述第一方向中从所述第一虚层两侧将所述第一虚层夹在中间的位置处，并且在所述第二方向中以预定间隔布置，

其中所述金属电阻器层在所述第一方向中延伸并且布置成在所述第二方向中在其任意相邻两个层之间具有预定间隔，以及

其中所述金属电阻器层经由穿透所述第二层间绝缘膜的接触插塞电耦合到所述垫层，从而形成串联连接。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一虚层和所述第二虚层在平面图中交替布置。

11.根据权利要求7或8所述的半导体器件，还包括多个垫层，其设置在所述第三层间绝缘膜之上，布置在所述第一方向中从所述第二虚层两侧将所述第二虚层夹在中间的位置处，并且在所述第二方向中以预定间隔布置，

其中所述金属电阻器层在所述第一方向中延伸并且布置成在所述第二方向中在其任意相邻两个层之间具有预定间隔，以及

其中所述金属电阻器层经由穿透所述第三层间绝缘膜的接触插塞电耦合到所述垫层，从而形成串联连接。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，

其中所述第一虚层和所述第二虚层在平面图中交替布置。