[发明专利]场发射显示器有效
申请号: | 201110032846.X | 申请日: | 2011-01-26 |
公开(公告)号: | CN102568987A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 杨宗翰;罗吉宗 | 申请(专利权)人: | 大同股份有限公司 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J29/08 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及场发射显示器,尤指一种可提高光利用率的场发射显示器。
背景技术
显示器在人们现今生活中的重要性日益增加,除了使用计算机或因特网外,电视机、手机、个人数字助理(PDA)、数码相机等,均须通过显示器控制来传递信息。相较于传统显像管显示器,新世代的平面显示器具有重量轻、体积小、及符合人体健康的优点,但其视角、亮度、功率消耗等问题仍有改善的空间。
在众多新兴的平面显示器技术中,场发射显示器(field emissiondisplay,FED)不仅拥有传统显像管高画质的优点,且相较于液晶显示器的视角不清、使用温度范围过小、及反应速度慢的缺点而言,场发射显示器具有高制成率、反应时间迅速、良好的协调显示性能、轻薄构造、宽广视角、工作温度范围大、及良好的偏斜方向辨认性等优点。
图1为传统场发射显示器的工作原理示意图。场发射显示器主要包括阴极12、电子发射层14、阳极15、发光层16以与栅极19,其中阳极15及发光层16形成于前基板17上,而阴极12、电子发射层14与栅极19则设置于底基板11上。据此,于阴极12与栅极19间施加电压时,阴极12与栅极19间将形成电场,遂使电子穿遂(tunnel)效应发生,而电子便由电子发射层14释放出,通过施加于阳极15上的电压,进而可使电子加速撞击发光层16,激发发光层16放出光线。此外,栅极19可用以精确地控制电子发射的时间及增加电子流的密度,且栅极19与阴极12可通过绝缘层13电性隔离。
一般而言,电子发射层14所释出的电子仅能撞击发光层表层161,故发光层表层161将会是发光效率最高的一侧,亦即,发光层16所发出的光大部分会局限于装置内部而无法向外发光,另一方面,由于传统场发射显示器的出光面背对发光层表层161,因此发光层表层161所放出的光必须再穿透发光层16,阳极15及前基板17才能向外发光,其造成的光效率损耗将进一步降低出光率,故上述传统场发射显示器普遍有发光效率不佳的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种场发射显示器,能提高光利用率,且可解决传统场发射显示器需采用高成本ITO阳极的问题。
为达成上述目的,本发明提供一种场发射显示器,其包括:一底基板;多条阴极,设置于该底基板上;一绝缘层,设置于该些阴极上且具有多个阵列排列的开口,其中该些开口对应该些阴极;多条阳极,设置于该绝缘层上,并与该些阴极排列成一矩阵(matrix),其中该些阳极分别具有至少一撞击面,且该至少一撞击面为一斜面或一曲面;以及多个阵列排列的子画素单元,其分别包括:一发光区,具有设置于该至少一撞击面上的发光层;以及至少一发射块,对应该发光区且设置于该些开口中,并与该些阴极电性连接且凸出该些开口。还详细地说,每一发光区可与其两侧对应的发射块构成一子画素单元,且多个子画素单元可构成一画素单元,进而形成多个阵列排列的画素单元。
本发明的场发射显示器还可包括:一前基板,设置于该底基板的上方。又,本发明的场发射显示器还可包括:一支撑单元,设置于该底基板与该前基板之间,且该底基板与该前基板间的区域为一真空区域。在此,该底基板可为一绝缘基板,而该前基板可为一透光基板。
于本发明中,阴极及阳极皆为条状结构,其中阳极横截面举例可为三角形、梯形、半圆形或弓形等,而其底面积较佳大于顶面积,还佳为阳极纵截面的面积是由顶部往底部递增。尤其,横截面为梯形的阳极还可作为底基板与前基板间的支撑柱。另外,阳极可高于发射块,而发光层可仅设置于阳极侧面的撞击面上,亦即,阳极未对应发射块的顶部可不设有发光层。在此,本发明所述的阳极底面积是指阳极面向底基板的底部面积,而阳极顶面积是指阳极面向前基板的顶部面积。此外,本发明所述的阳极横截面是指垂直于阳极轴向的截面,而阳极纵截面是指平行于阳极轴向的截面。
据此,本发明是将阴极、发射块、阳极及发光层皆设置于底基板上,而作为出光面的前基板则位于发光层发光效率最佳(即发光层表层)的该侧。相较于现有出光面位于发光层底层(即出光面背对发光层表层)的传统场发射显示器(发光效率差),本发明的场发射显示器可展现较佳的发光效率,且无需采用高成本的ITO阳极。
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