[发明专利]互连结构及其设计方法无效

专利信息
申请号: 201110033225.3 申请日: 2011-01-28
公开(公告)号: CN102169855A 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: 及川隆一 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/498;H01L23/552;H01L23/58;G06F17/50
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 互连 结构 及其 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种互连结构,包括:半导体芯片;安装基板,其上安装所述半导体芯片;以及一组键合线,所述一组键合线用于连接所述半导体芯片和所述安装基板,

其中所述一组键合线包括:

第一信号键合线,所述第一信号键合线被包含在第一包络中并且用于传播信号;

第一电源键合线,所述第一电源键合线被包含在所述第一包络中并且被施加有第一电源电压;以及

第二电源键合线,所述第二电源键合线被包含在所述第二包络中并且被施加有第二电源电压,

其中所述第一包络和所述第二包络中的一个被布置在所述第一包络和所述第二包络中的另一个与所述安装基板之间,并且

所述第二电源键合线被布置在所述第二电源键合线和所述第一信号键合线之间的电磁耦合小于所述第二电源键合线和所述第一电源键合线之间的电磁耦合的位置中。

2.根据权利要求1所述的互连结构,其中所述第一和第二电源键合线与所述第一信号键合线中的具有最短全长的一条是最短键合线,

其中可选点被设置在所述最短键合线的与全长的一半相对应的区域中,

其中第一直线经过可选点和在剩下的两条键合线中的一条上离可选点最近的点,

其中第二直线经过可选点和在剩下的两条键合线中的另一条上离可选点最近的点,并且

其中所述第一和第二直线之间的角度处于60°至120°的范围内。

3.根据权利要求1所述的互连结构,其中第一直线经过所述第一电源键合线上的预定点和所述第一信号键合线上离所述预定点最近的点,

第二直线经过所述第一电源键合线上的预定点和所述第二电源键合线上离所述预定点最近的点,并且

所述第一和第二直线相互正交。

4.根据权利要求1至3中的任何一项所述的互连结构,其中所述一组键合线包括:

第二信号键合线,所述第二信号键合线被包含在所述第一包络中,并且被布置为与所述第一信号键合线相邻以与所述第一信号键合线一起传输差分信号。

5.根据权利要求1至3中的任何一项所述的互连结构,其中所述第一电源键合线被接地。

6.根据权利要求1至3中的任何一项所述的互连结构,其中所述第二电源键合线被接地。

7.一种具有互连结构的半导体器件,所述互连结构包括:半导体芯片;安装基板,其上安装所述半导体芯片;以及一组键合线,所述一组键合线用于连接所述半导体芯片和所述安装基板,

其中所述一组键合线包括:

第一信号键合线,所述第一信号键合线被包含在第一包络中并且用于传播信号;

第一电源键合线,所述第一电源键合线被包含在所述第一包络中并且被施加有第一电源电压;以及

第二电源键合线,所述第二电源键合线被包含在第二包络中并且被施加有第二电源电压,

其中所述第一包络和所述第二包络中的一个被布置在所述第一包络和所述第二包络中的另一个与所述安装基板之间,并且

所述第二电源键合线被布置在所述第二电源键合线和所述第一信号键合线之间的电磁耦合小于所述第二电源键合线和所述第一电源键合线之间的电磁耦合的位置中。

8.一种互连结构的设计方法,所述互连结构包括:半导体芯片;安装基板,其上安装所述半导体芯片;以及一组键合线,所述一组键合线用于连接所述半导体芯片和所述安装基板,

其中所述一组键合线包括:

第一信号键合线,所述第一信号键合线被包含在第一包络中并且用于传播信号;

第一电源键合线,所述第一电源键合线被包含在所述第一包络中并且被施加有第一电源电压;以及

第二电源键合线,所述第二电源键合线被包含在第二包络中并且被施加有第二电源电压,

所述设计方法包括:

设置所述第一信号键合线、所述第一电源键合线以及所述第二电源键合线中的每一个的长度的初始值;

基于设置值,通过使用电磁场分析来生成电路模型;

基于所述电路模型,通过执行电路模拟来计算共模噪声;

当计算的共模噪声不等于或者小于阈值时,改变所述第二电源键合线的长度的设置值;以及

重复所述生成、所述计算和所述改变,直到共模噪声等于或者小于阈值,

其中所述设置包括:

将所述第一电源键合线的长度的一半的值设置为所述第二电源键合线的长度的初始值。

9.根据权利要求8所述的设计方法,其中所述生成包括:

生成所述半导体芯片的模型;以及

生成所述安装基板的模型。

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