[发明专利]相变存储材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110033438.6 | 申请日： | 2011-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN102157685A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;夏梦姣;饶峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种相变存储材料，其特征在于，所述相变存储材料是由微晶态的Si和相变材料SbxTe1-x复合而成，其中0.1≤x≤0.9。
2.根据权利要求1所述的相变存储材料，其特征在于，所述微晶态的Si的晶粒尺寸为3纳米至20纳米。
3.一种相变存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成非晶Si-SbxTe1-x材料层，其中0.1≤x≤0.9；
在所述非晶Si-SbxTe1-x材料层上形成富含H的SiNy层，其中1≤y≤1.5；
对所述Si-SbxTe1-x材料层及其上的所述SiNy层进行快速退火，使其中的非晶Si转变为微晶Si以形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料。
4.根据权利要求3所述的相变存储材料的制备方法，其特征在于，形成所述非晶Si-SbxTe1-x材料层的方法为物理气相沉积工艺。
5.根据权利要求3所述的相变存储材料的制备方法，其特征在于，形成含H的SiNy层的方法为化学气相沉积工艺或等离子体增强型化学气相沉积工艺。
6.根据权利要求5所述的相变存储材料的制备方法，其特征在于，在形成含H的SiNy层时，所述半导体衬底的温度范围为20摄氏度至400摄氏度。
7.根据权利要求6所述的相变存储材料的制备方法，其特征在于，在形成含H的SiNy层时，(SiH4+NH3)与N2单位时间体积比范围在10％至50％。
8.根据权利要求6或7所述的相变存储材料的制备方法，其特征在于，在形成含H的SiNy层时，SiH4与NH3单位时间体积比范围在30％至70％。
9.根据权利要求3所述的相变存储材料的制备方法，其特征在于，快速退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料的退火温度为200摄氏度至500摄氏度。
10.根据权利要求3或9所述的相变存储材料的制备方法，其特征在于，快速退火形成微晶Si-SbxTe1-x复合相变材料的退火时间为10分钟至30分钟。
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