[发明专利]有机半导体材料，有机半导体薄膜和有机半导体器件

权利要求书

1.一种有机半导体材料，由下面通式(2)表示的多并苯衍生物组成，在通式(2)中，n是0-20的整数，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇和R₈各自满足下面(条件-B1)和(条件-B2)：

通式(2)

(条件-B1)

R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇和R₈独立地是相同的取代基或不同的取代基，当n大于2时，通式(2)中存在的多个R₅可以是相同的取代基或不同的取代基，通式(2)中存在的多个R₈可以是相同的取代基或不同的取代基，且R₁、R₄、R₅和R₈不能同时为氢原子；

(条件-B2)

R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇和R₈各自是至少一种选自以下的取代基组的取代基：有取代基的碳原子数为1-20的脂族烃基、有取代基的芳族烃基、有取代基的配位芳基、羧基、氢化物、酯基、氰基、羟基、硫代羧基、二硫代羧基、磺酸基、亚磺酸基、次磺酸基、磺酰基、亚磺酰基、酰卤基、氨基甲酰基、酰肼基、酰亚胺基、酰胺基、脒基、异氰基、氰酸酯基、异氰酸酯基、硫氰酸酯基、异硫氰酸酯基、甲酰基、硫醛基、酰基、硫醇基、氨基、亚氨基、肼基、烷氧基、芳氧基、醚基、硫醚基、二硫醚基、甲硅烷基、甲锗烷基、甲锡烷基、膦基、硼烷基、卤原子和氢原子。

2.如权利要求1所述的有机半导体材料，其特征在于，在(条件-B1)中，R₁、R₂、R₃、R₄、R₅、R₆、R₇和R₈各自是至少一种选自以下的取代基组的取代基：有取代基的碳原子数为1-20的脂族烃基、有取代基的芳族烃基、有取代基的配位芳基、羧基、氢化物、酯基、氰基、羟基、卤原子和氢原子

3.如权利要求2所述的有机半导体材料，其特征在于，n大于5，且在一部分并苯骨架上的取代基是碳原子数大于3的烷基。

4.一种有机半导体薄膜，由权利要求1或2的有机半导体材料制成，所述有机半导体薄膜具有结晶度。

5.如权利要求4所述的有机半导体薄膜，其特征在于，在有机半导体材料的一部分并苯骨架上的取代基是碳原子数大于3的烷基。

6.如权利要求5所述的有机半导体薄膜，其特征在于，它具有堆叠结构。

7.一种有机半导体器件，包括由权利要求1或2所述的有机半导体材料制成的有机半导体薄膜，所述有机半导体薄膜具有结晶度。

8.如权利要求7所述的有机半导体器件，其特征在于，在有机半导体材料的一部分并苯骨架上的取代基是碳原子数大于3的烷基。

9.如权利要求8所述的有机半导体器件，其特征在于，所述有机半导体薄膜具有堆叠结构。

10.如权利要求7-9中任一项所述的有机半导体器件，其特征在于，所述有机半导体器件由源电极/漏电极、被夹在源电极/漏电极与源电极/漏电极之间的沟道形成区、栅极绝缘层、以及与沟道形成区相对并通过所述栅极绝缘层的栅电极构成，所述沟道形成区由有机半导体薄膜构成。