[发明专利]一种减少晶片减薄后翘曲的方法无效
| 申请号： | 201110033846.1 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102157366A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张昊翔;金豫浙;陈立人;李东昇;江忠永 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/304;B23K26/00;B28D5/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减少 晶片 减薄后翘曲 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种减少晶片减薄后翘曲的方法，其特征在于晶片减薄前在晶片背面沿X轴和Y轴进行正交划片，X轴与Y轴矩阵宽度为1um-100mm，所述X轴平行于衬底定位边。
2.如权利1所述的减少晶片减薄后翘曲的方法，其特征在于划片后的划片道的宽度W为1μm<W<50μm，划片道的深度D为：50μm<D<500μm。
3.如权利要求1所述的减少晶片减薄后翘曲的方法，其特征在于正交划片采用机械切割，激光切割或刻蚀实现。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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