[发明专利]光刻用洗涤液以及配线形成方法有效
| 申请号： | 201110033927.1 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102169296A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 大桥卓矢;高滨昌;江藤崇弘;森大二郎;横井滋 | 申请（专利权）人： | 东京应化工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;C11D7/32;C11D7/50;C11D7/60;C11D7/26;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;倪小敏 |
| 地址： | 日本神奈川县川*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻 洗涤液 以及 线形 成方 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻用洗涤液，其含有季铵氢氧化物、水溶性有机溶剂、水、和无机碱；
所述水溶性有机溶剂含有偶极矩为3.0D以上的高极性溶剂、乙二醇醚类溶剂、和多元醇；
相对于总量，所述高极性溶剂和所述乙二醇醚类溶剂的总含量为30质量％以上。
2.如权利要求1所述的光刻用洗涤液，其中，所述高极性溶剂选自亚砜类、砜类、酰胺类、内酰胺类、内酯类、以及咪唑啉酮类中的1种以上。
3.如权利要求1所述的光刻用洗涤液，其中，所述水溶性有机溶剂中的所述高极性溶剂的比例为5～60质量％，所述乙二醇醚类溶剂的比例为5～55质量％，所述多元醇的比例为5～30质量％。
4.如权利要求1所述的光刻用洗涤液，其中，所述季铵氢氧化物为下述通式(1)所表示的化合物，
[化1]
式中，R1～R4分别独立表示碳原子数为1～4的烷基或者羟烷基。
5.一种配线形成方法，其是通过在蚀刻空间内埋置金属来形成金属配线层的配线形成方法，该蚀刻空间是使用光刻胶膜在半导体多层层压体的介电体层上形成的，
在形成所述腐蚀空间后，使用权利要求1至4中任一项所述的光刻用洗涤液来至少除去所述光刻胶膜。
6.如权利要求5所述的配线形成方法，其中，所述光刻胶膜的下层设有防反射膜；
在形成所述腐蚀空间后，使用所述光刻用洗涤液来至少除去所述光刻胶膜以及所述防反射膜。
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