[发明专利]导热性片材

说明书

技术领域

本发明涉及导热性片材，详细而言，涉及在电力电子(Power Electronics)技术中使用的导热性片材。

背景技术

近年来，在混合器件、高亮度LED器件、电磁感应加热器件等中采用通过半导体元件对电力进行转换、控制的电力电子技术。在电力电子技术中，将大电流转换成热等，因而配置于半导体元件附近的材料需要高的散热性(高导热性)。

例如提出了含有片状的氮化硼粉末和丙烯酸酯共聚树脂的导热片材(例如参照日本特开2008-280496号公报。)。

在日本特开2008-280496号公报的导热片材中，氮化硼粉末的长轴方向(与氮化硼粉末的片厚正交的方向)以沿片材的厚度方向的方式进行取向，由此提高了导热性片材的厚度方向的导热性。

发明内容

然而，根据用途和目的，有时需要导热性片材具有与厚度方向正交的正交方向(面方向)的高导热性。此时，日本特开2008-280496号公报的导热片材的氮化硼粉末的长轴方向与面方向正交(交叉)，因此具有所述面方向的导热性不充分的缺点。

另外，由于被使用高电力的电力电子技术所采用，因此导热性片材也需要具有优异的耐绝缘击穿性(抗电弧径迹性)。

本发明的目的在于提供面方向的导热性优异、同时耐绝缘击穿性也优异的导热性片材。

本发明的导热性片材，其特征在于，其含有片状的氮化硼颗粒，前述导热性片材的与厚度方向正交的方向的导热率为4W/m·K以上，前述导热性片材的、依据JIS C 2110(2010年版)测定的绝缘击穿电压(dielectric breakdown voltage)为10kV/mm以上。

本发明的导热性片材的与厚度方向正交的面方向的导热性优异，同时耐绝缘击穿性也优异。

因此，通过本发明的导热性片材来被覆电力电子技术中使用的电子部件和/或用于安装它们的安装基板时，能够防止导热性片材的绝缘击穿，同时能够通过所述导热性片材来使电子部件和/或安装基板的热沿面方向发散。

附图说明

图1为本发明的导热性片材的一个实施方式的立体图。

图2为用于说明图1所示的导热性片材的制造方法的工序图，

(a)示出对混合物或层叠片材进行热压的工序，

(b)示出将压制片材(press sheet)分割成多个的工序，

(c)示出将分割片材层叠的工序。

图3为耐弯曲性试验的类型I的试验装置(耐弯曲性试验前)的立体图。

图4为耐弯曲性试验的类型I的试验装置(耐弯曲性试验中)的立体图。

具体实施方式

本发明的导热性片材含有氮化硼颗粒。

具体而言，导热性片材含有氮化硼(BN)颗粒作为必要成分，进而，例如含有树脂成分。

氮化硼颗粒形成为片状(或鳞片状)，在导热性片材中以沿规定方向(后述)取向的形式被分散。

氮化硼颗粒的纵向方向长度(片的与厚度方向正交的方向的最大长度)的平均值例如为1～100μm，优选为3～90μm。另外，氮化硼颗粒的纵向方向长度的平均值为5μm以上，优选为10μm以上，进一步优选为20μm以上，尤其优选为30μm以上，最优选为40μm以上，通常，例如为100μm以下，优选为90μm以下。

另外，氮化硼颗粒的厚度(片的厚度方向长度、即颗粒的横向方向长度)的平均值例如为0.01～20μm，优选为0.1～15μm。

另外，氮化硼颗粒的纵横比(纵向方向长度/厚度)例如为2～10000，优选为10～5000。

而且，氮化硼颗粒的通过光散射法测定的平均粒径例如为5μm以上，优选为10μm以上，进一步优选为20μm以上，尤其优选为30μm以上，最优选为40μm以上，通常为100μm以下。

另外，通过光散射法测定的平均粒径为用动态光散射式粒度分布测定装置测定的体积平均粒径。

氮化硼颗粒的通过光散射法测定的平均粒径不满足上述范围时，有时导热性片材会变脆，处理性会降低。

另外，氮化硼颗粒的体积密度(JIS K 5101，表观密度)例如为0.3～1.5g/cm³，优选为0.5～1.0g/cm³。

另外，氮化硼颗粒可以使用市售产品或将其加工而得到的加工品。作为氮化硼颗粒的市售产品，例如可列举出MomentivePerformance Materials Japan LLC制造的“PT”系列(例如“PT-110”等)，昭和电工公司制造的“SHOBN UHP”系列(例如“SHOBN UHP-1”等)等。