[发明专利]适用于纳米工艺的晶圆及其制造方法

权利要求书

1.一种适用于纳米工艺的晶圆制造方法，包含一个第一退火步骤、一个第一沉积步骤、一个注入步骤，以及一个第二退火步骤，其特征在于：该第一退火步骤以高于650℃的温度对一个晶圆进行退火处理以在该晶圆表面形成一个高质量硅层；该第一沉积步骤以化学气相沉积法将含有硅、锗的硅锗气体源在该晶圆的高质量硅层上沉积出一个硅锗沉积层；该注入步骤将氧离子注入该晶圆中；该第二退火步骤以高于650℃的温度对注入氧离子的晶圆进行退火处理，以使该晶圆的高质量硅层转化为一层氧化硅层。

2.根据权利要求1所述适用于纳米工艺的晶圆制造方法，其特征在于在该注入步骤中是以一个离子注入机将氧离子注入该晶圆中，氧离子注入的深度为0.001-5μm，氧离子注入的浓度为1×10¹³-5×10²¹atoms/cm³。

3.根据权利要求1所述适用于纳米工艺的晶圆制造方法，其特征在于在该第一退火步骤中是以高温炉管进行退火处理，处理时间为10分钟至60分钟，并是选自氢气、氩气、氮气或稀有气体进行退火处理。

4.根据权利要求1所述适用于纳米工艺的晶圆制造方法，其特征在于在该第一退火步骤中是以快速退火设备进行退火处理，处理时间为1.0分钟至60分钟，并是选自氢气、氩气、氮气或稀有气体进行退火处理。

5.根据权利要求1所述适用于纳米工艺的晶圆制造方法，其特征在于在该第二退火步骤中是以高温炉管进行退火处理，处理时间为10分钟至4小时，并是选自氢气、氩气、氮气或稀有气体进行退火处理。

6.根据权利要求1所述适用于纳米工艺的晶圆制造方法，其特征在于在该第二退火步骤中是以快速退火设备进行退火处理，处理时间为1.0分钟至4小时，并是选自氢气、氩气、氮气或稀有气体进行退火处理。

7.根据权利要求1至6项中任一所述适用于纳米工艺的晶圆制造方法，其特征在于：其还包含一个第二沉积步骤，该第二沉积步骤是以化学气相沉积法在形成该氧化硅层后的晶圆上，并在该硅锗沉积层表面以含硅的硅气体源沉积出一个硅沉积层。

8.根据权利要求7所述适用于纳米工艺的晶圆制造方法，其特征在于其还包含一个研磨步骤，该研磨步骤是以化学机械研磨的方式研磨该晶圆的硅沉积层表面。

9.一种以申请专利范围第1至第6项中任一方法制造的晶圆，包含一个硅基板层，其特征在于：该晶圆还包含一个形成于该硅基板层上的氧化硅层，以及一个以硅锗气体源沉积于该氧化硅层上的硅锗沉积层。

10.根据权利要求9所述的晶圆，其特征在于：该晶圆还包含一个沉积于该硅锗沉积层上的硅沉积层。