[发明专利]用于制作薄膜太阳能电池的薄膜化合物的靶材、薄膜太阳能电池的制作方法及薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种靶材，用于以溅镀制程制作薄膜太阳能电池的化合物薄膜，其特征在于：所述的靶材的结构式是CuB_1-xC_xSe_yS_2-y，其中，B和C分别选自IIIA族元素，x介于0～1，y介于0～2。

2.根据权利要求1所述的靶材，其特征在于：所述的IIIA族元素是铟、铝或镓。

3.根据权利要求2所述的靶材，其特征在于：B和C其中任一为铟，其中另一为铝或镓。

4.一种薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的制作方法包含

(a)清洁一块基材；

(b)以一种第一导电材料在所述的基材上沉积形成一个背电极；

(c)选用一个靶材，在150℃～600℃的工作温度，溅镀形成一层盖覆所述的背电极的化合物薄膜；以及

(d)以一种第二导电材料在所述的化合物薄膜上沉积形成一个顶电极，制得所述的薄膜太阳能电池。

5.根据权利要求4所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的步骤(c)是利用变化不同的工作压力，而在所述的背电极上形成多层分别具有不同组成份及能隙的次薄膜，所述次薄膜共同构成所述的化合物薄膜。

6.根据权利要求5所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的步骤(c)是在3mTorr～60mTorr的工作压力，且在氩气条件下进行溅镀。

7.根据权利要求4所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的步骤(c)选用的靶材的结构式是CuB_1-xC_xSe_yS_2-y，其中，

B和C分别选自IIIA族元素，x介于0～1，y介于0～2。

8.根据权利要求7所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的IIIA族元素包括铟、铝或镓。

9.根据权利要求8所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：B和C其中任一为铟，其中另一为铝或镓。

10.根据权利要求4所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的薄膜太阳能电池的制作方法还包含一实施在所述的步骤(c)前的步骤(e)，所述步骤(e)是在所述的背电极上沉积形成至少一层中间层，且所述步骤(c)的化合物薄膜是形成在所述的中间层上。

11.根据权利要求10所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的中间层是由结构式是A_xSe_1-x的物质溅镀沉积构成的，其中，x介于0～0.7，A选自铜、铟、镓、铜铟合金、镓铟合金或铜镓合金。

12.一种薄膜太阳能电池，包含一块基材、一个形成于所述的基材上的背电极、一层形成于所述的背电极上的化合物薄膜，及一个形成于所述的化合物薄膜上的顶电极，其特征在于：所述的化合物薄膜是溅镀沉积形成，且是由多个实质呈柱状的柱状晶粒构成。

13.根据权利要求12所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：构成所述的化合物薄膜的柱状晶粒与所述的基材实质彼此垂直。

14.根据权利要求13所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的柱状晶粒的横切面呈椭圆形，且所述的每一个椭圆形的长度不大于所述的化合物薄膜的厚度。

15.根据权利要求13所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的柱状晶粒为p型半导体。

16.根据权利要求12所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的化合物薄膜具有多层的次薄膜，且所述每一层的次薄膜组成分及能隙均不相同。

17.根据权利要求16所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的次薄膜的能隙介于1.02～1.68eV。

18.根据权利要求12所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的薄膜太阳能电池还包含至少一层沉积形成于所述的基材及所述的化合物薄膜间的中间层。

19.根据权利要求18所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的中间层是由结构式是A_xSe_1-x的物质构成，其中，x介于0～0.7，A选自铜、铟、镓、铜铟合金、镓铟合金或铜镓合金。