[发明专利]发光二极管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管结构，包含：

承载装置，包含承载板与侧墙，其中该侧墙设于该承载板上，且在该承载板上形成一承载槽；

发光二极管管芯，固设于该承载槽中，其中该发光二极管管芯包含依序堆叠的第一电性半导体层、发光层与第二电性半导体层，其中该第一电性半导体层具有第一区与第二区，其中该发光二极管管芯还包含：

第二导电分支，设于该第一电性半导体层的该第一区的该第二电性半导体层上；以及

第一导电分支，设于该第一电性半导体层的该第二区的该第一电性半导体层上；

第一电性电极，延伸于该侧墙与该第一导电分支上；以及

第二电性电极，延伸于该侧墙与该第二导电分支上。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该发光二极管管芯包含彼此分离的第一平台与第二平台，其分别位于该第一电性半导体层的该第一区与该第二区的一部分上，且该第一平台与该第二平台均包含该第一电性半导体层、该发光层与该第二电性半导体层。

3.如权利要求2所述的发光二极管结构，其中该第一导电分支延伸于该第二平台的一侧面和一上表面。

4.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该第一导电分支和该第二导电分支与该侧墙实质等高。

5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该侧墙低于该第一导电分支和该第二导电分支。

6.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该侧墙中包含光取出增强材料，该光取出增强材料为改变该侧墙的折射率的一材料或改变光在该侧墙中的光路径的一材料。

7.如权利要求1所述的发光二极管结构，还包含反射结构，设于该承载板上，且与该侧墙位于该承载板的同一侧。

8.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该承载装置是一体成型结构，且该侧墙具有导角，其紧邻该承载槽。

9.如权利要求1所述的发光二极管结构，其中该承载装置是一体成型结构，且该承载板包含一贯穿孔。

10.一种发光二极管结构的制作方法，包含：

提供一发光二极管管芯，其中该发光二极管管芯包含依序堆叠的第一电性半导体层、发光层与第二电性半导体层，其中该第一电性半导体层具有第一区与第二区，其中该发光二极管管芯还包含：

第二导电分支，设于该第一电性半导体层的该第一区的该第二电性半导体层上；以及

第一导电分支，设于该第一电性半导体层的该第二区的该第一电性半导体层上；

将该发光二极管管芯固定于一承载板上；

形成一侧墙于该承载板上，以形成容置该发光二极管管芯的一承载槽；

形成一第一电性电极延伸于该侧墙与该第一导电分支上；以及

形成一第二电性电极延伸于该侧墙与该第二导电分支上。

11.如权利要求10所述的发光二极管结构的制作方法，其中该发光二极管管芯包含彼此分离的一第一平台与一第二平台分别位于该第一电性半导体层的该第一区与该第二区的一部分上，且该第一平台与该第二平台均包含该第一电性半导体层、该发光层与该第二电性半导体层。

12.如权利要求10所述的发光二极管结构的制作方法，其中形成该侧墙的步骤包含：

形成一透明材料层覆盖在该发光二极管管芯与该承载板上；以及

对该透明材料层进行一平坦化步骤，以暴露出该第一导电分支与该第二导电分支。

13.如权利要求12所述的发光二极管结构的制作方法，其中该透明材料层的材料为有机材料或高分子材料。

14.如权利要求12所述的发光二极管结构的制作方法，其中该平坦化步骤包含使该第一导电分支和该第二导电分支与该侧墙实质等高。

15.如权利要求12所述的发光二极管结构的制作方法，其中该平坦化步骤包含使该侧墙低于该第一导电分支和该第二导电分支。

16.如权利要求10所述的发光二极管结构的制作方法，其中该承载板还包含反射结构，该反射结构与该侧墙位于该承载板的同一侧。