[发明专利]相变存储器的形成方法有效
| 申请号： | 201110034987.5 | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102637820A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 任万春;宋志棠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 形成 方法 | ||
1.一种相变存储器的形成方法，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括基底和形成在基底上的隔离层，且所述隔离层内形成有第一电极层；
在所述隔离层表面形成绝缘层；
其特征在于，还包括：
形成覆盖所述绝缘层的牺牲层，且所述牺牲层为硫族合金和绝缘材料的混合物；
在所述牺牲层和所述绝缘层内形成沟槽，所述沟槽暴露出所述隔离层内的第一电极层；
在所述沟槽内填充相变层；
形成覆盖所述绝缘层和相变层的第二电极层。
2.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述硫族合金为GeSbTe，GeTe，SbTe，AsSbTe，SbTe，GeBiTe，SnSbTe，InSbTe，GaSbTe中的任一种。
3.如权利要求2所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述绝缘材料为SiN，HfO2，ZrO2，Al2O3，Ta2O5中的任一种。
4.如权利要求3所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述牺牲层中绝缘材料占的比例为20％～80％。
5.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为20～500
6.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的形成工艺为单靶磁控溅镀法或多靶磁控共溅镀法。
7.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述绝缘层包括：覆盖所述半导体衬底和第一电极层的刻蚀阻挡层以及覆盖所述刻蚀阻挡层的介电层。
8.如权利要求7所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述介电层的材料为氧化物。
9.如权利要求1所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述相变层的材料为锗、锑、碲基化合物。
10.如权利要求9所述的相变存储器的形成方法，其特征在于，所述相变层的材料为GeiSbjTek，且0＜i，j，k＜1，i+j+k＝1。
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