[发明专利]芯片电阻器及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片电阻器的制造方法，包括以下步骤：

a)提供一基材及一电阻层，该基材具有一第一表面及一第二表面；

b)结合该电阻层于该基材的第一表面；

c)形成一第一金属层于该基材的第二表面；

d)形成多个贯孔，以贯穿该第一金属层、该基材及该电阻层；

e)形成一连接金属层于这些贯孔内，以电性连接该电阻层及该第一金属层；

f)图案化该电阻层，以形成多个第一电阻本体；

g)形成多个第一保护层以保护这些第一电阻本体；及

h)沿着多条切割线进行单体化制造方法，以形成多个芯片电阻器，其中部分这些切割线经过这些贯孔。

2.如权利要求1所述的芯片电阻器的制造方法，其中该基材为一有机多层板体基材，该电阻层为一铜镍合金箔片或铜锰合金箔片，该第一金属层为一铜箔片。

3.如权利要求1所述的芯片电阻器的制造方法，其中该步骤b)中，该电阻层为一板材，且以压合方式结合于该基材的第一表面，该步骤c)中，该第一金属层为一板材，且以压合方式形成于该基材的第二表面。

4.如权利要求1所述的芯片电阻器的制造方法，其中该步骤c)之后进一步包括一形成一附着层以覆盖该电阻层的步骤，且步骤e)之后进一步包括一去除该附着层的步骤。

5.如权利要求1所述的芯片电阻器的制造方法，其中该步骤f)进一步形成多个背电极，其中每两个背电极位于每一第一电阻本体的两侧。

6.如权利要求1所述的芯片电阻器的制造方法，其中该步骤e)中该连接金属层进一步形成于该第一金属层上，该步骤f)进一步包括一图案化该连接金属层及该第一金属层以分别形成多个散热机构及多个正电极，其中这些散热机构位于这些正电极上。

7.如权利要求1所述的芯片电阻器的制造方法，其中该步骤f)之后进一步包括：

f1)形成多个第一非导体材料层以覆盖这些第一电阻本体，这些第一非导体材料层未覆盖这些贯孔；

f2)形成多个第二金属层于该连接金属层上及未被这些第一非导体材料层覆盖的电阻层上；及

f3)去除这些第一非导体材料层。

8.如权利要求7所述的芯片电阻器的制造方法，其中该步骤g)之后进一步包括：

g1)形成多个第二保护层以覆盖部分这些第二金属层及部分该基材的第二表面，其中这些第二保护层未覆盖这些贯孔。

9.如权利要求8所述的芯片电阻器的制造方法，其中该步骤g1)之后进一步包括：

g2)形成多个第三金属层于未被这些第一保护层及这些第二保护层覆盖的第二金属层上。

10.如权利要求1所述的芯片电阻器的制造方法，其中该步骤g)形成这些第一保护层以覆盖这些第一电阻本体及部分该基材的第一表面，其中这些第一保护层未覆盖这些贯孔。

11.如权利要求1所述的芯片电阻器的制造方法，其中该基材为一有机多层板体基材，该电阻层为一铜镍合金箔片或铜锰合金箔片，该第一金属层为一铜镍合金箔片或铜锰合金箔片。

12.如权利要求11所述的芯片电阻器的制造方法，其中该步骤c)之后进一步包括一形成一附着层以覆盖该电阻层且形成一第二光阻层以覆盖该第一金属层的步骤，且步骤e)之后进一步包括一去除该附着层及该第二光阻层的步骤。

13.如权利要求11所述的芯片电阻器的制造方法，其中该步骤f)图案化该电阻层以形成多个第一电阻本体及多个背电极，且图案化该第一金属层以形成多个第二电阻本体及多个正电极，其中每两个背电极位于每一第一电阻本体的两侧，每两个正电极位于每一第二电阻本体的两侧。

14.如权利要求13所述的芯片电阻器的制造方法，其中该步骤f)之后进一步包括：

f1)形成多个第一非导体材料层以覆盖这些第一电阻本体，这些第一非导体材料层未覆盖这些贯孔；

f2)形成多个第二非导体材料层以覆盖这些第二电阻本体，这些第二非导体材料层未覆盖这些贯孔；

f3)形成多个第二金属层于该连接金属层上、未被这些第一非导体材料层覆盖的电阻层及未被这些第二非导体材料层覆盖的第一金属层上；及

f4)去除这些第一非导体材料层及这些第二非导体材料层。