[发明专利]薄化晶片的方法

权利要求书

1.一种薄化晶片的方法，包括：

借由一粘着剂结合一晶片于一载体上；

执行一薄化工艺于该晶片上；以及

于该执行该薄化工艺的步骤之后，移除该粘着剂未被该晶片覆盖的一部分，其中该粘着剂被该晶片覆盖的一部分不被移除。

2.如权利要求1所述的薄化晶片的方法，其中该移除的步骤包括喷洒一化学药品至该粘着剂未被该晶片覆盖的该部分，且其中该化学药品被设置来溶解该粘着剂。

3.如权利要求2所述的薄化晶片的方法，还包括在执行该喷洒该化学药品的步骤之时，同时旋转该晶片，其中用以喷洒该化学药品的一喷嘴为位于一固定位置。

4.如权利要求2所述的方法，其中该化学药品择自实质上由一溶剂、酒精、一稀释剂与其组合所组成的群组。

5.如权利要求1所述的薄化晶片的方法，还包括于该移除的步骤之后，对该晶片执行一工艺步骤，随着等离子体使用于该工艺步骤中，其中于该工艺步骤期间借由该粘着剂该晶片结合着该载体，且其中该工艺步骤择自实质上由一沉积与一干蚀刻所组成的群组。

6.如权利要求1所述的薄化晶片的方法，其中在开始该移除的步骤之时，该粘着剂包括一表面与该晶片的一表面呈水平，且其中于该移除的步骤之后，该粘着剂的该表面至少在尺寸上被缩小。

7.如权利要求6所述的薄化晶片的方法，其中于该移除的步骤之后，该粘着剂的该表面实质上被消除。

8.如权利要求1所述的薄化晶片的方法，其中于该移除的步骤之后，该粘着剂的一剩余部分包括具有一倾斜角介于约40度与约80度之间的一倾斜侧壁，以介于该倾斜侧壁与一垂直于该载体的一主要表面的线之间来测量该倾斜角。

9.如权利要求1所述的薄化晶片的方法，其中于该移除的步骤之后，没有底切形成于该粘着剂中并直接延伸于该晶片下。

10.如权利要求3所述的薄化晶片的方法，其中于该喷洒该化学药品的步骤期间，用以喷洒该化学药品的该喷嘴为以一固定倾斜角位于一固定位置。