[发明专利]用于半导体测试装置具有气密式导通孔的载板及制造方法有效
申请号: | 201110035522.1 | 申请日: | 2011-02-01 |
公开(公告)号: | CN102621463A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 郭国锋;杨高山 | 申请(专利权)人: | 致茂电子(苏州)有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R1/04;G01R1/073 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 215011 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 测试 装置 具有 气密 式导通孔 制造 方法 | ||
1.一种具有气密式导通孔的载板,其特征在于,是包含:
一穿孔,形成于一载板上,该穿孔于该载板的纵向高度边际位置形成一第一端及一第二端;
一金属层,形成于该穿孔的内壁;以及
一填充块,该填充块的高度小于该载板的纵向高度而设置于该穿孔内、并用以密封该穿孔的该第二端,该穿孔的该第一端是用以供一连接器的一接脚插设。
2.如权利要求1所述的具有气密式导通孔的载板,其特征在于,其中该填充块包含:
一填充物,是设置于该穿孔内,并用以密封该穿孔的该第二端;以及
一导电层,设置于该穿孔的该第二端,用以填平该填充物表面,并镕合该金属层。
3.如权利要求2所述的具有气密式导通孔的载板,其特征在于,其中该填充物为金属或树脂的任一种。
4.如权利要求1所述的具有气密式导通孔的载板,其特征在于,其中该填充块的高度为该穿孔的深度扣除该接脚插设于第一端的长度。
5.如权利要求1所述的具有气密式导通孔的载板,其特征在于,其中该填充块的高度介于该穿孔的深度的百分之十与其百分之五十之间。
6.如权利要求1所述的具有气密式导通孔的载板,其特征在于,其中该连接器为压接式连接器。
7.一种半导体测试装置,其特征在于,是包含:
一第一载板,具有复数第一气密式导通孔;
至少一第二载板,具有复数第二气密式导通孔,每一第二气密式导通孔是包含:
一穿孔,是形成于该第二载板上,该穿孔于该第二载板的纵向高度边际位置形成一第一端及一第二端;
一金属层,设置于该穿孔的内壁;以及
一填充块,该填充块的高度小于该第二载板的纵向高度而设置于该穿孔内、并用以密封该穿孔的该第二端;
至少一连接器,具有复数接脚,该些接脚插设于该第二载板的该些第二气密式导通孔;
一测试模块,具有一探针组及一测试卡,该探针组包含复数第一探针及复数第二探针,该第一载板及该第二载板设置于该测试模块,该些第一探针顶至该第一载板的该些第一气密式导通孔,该些第二探针顶至该些第二气密式导通孔的该些填充块,该连接器电性连接该测试卡;以及
一真空模块,真空吸取该第一载板,该第一载板及该第二载板间维持真空状态,以固定该第一载板于该测试模块,该测试卡透过该连接器、该第二载板及该探针组传导一电子讯号至该第一载板。
8.如权利要求13所述的半导体测试装置,其特征在于,其中该第一气密式导通孔是包含:
一穿孔,是形成于该第一载板上,该穿孔于该第一载板的纵向高度边际位置形成一第一端及一第二端;
一金属层,设置于该穿孔的内壁;以及
一填充块,该填充块的高度小于该第一载板的纵向高度而设置于该穿孔内、并用以密封该穿孔的该第二端。
9.如权利要求13或14所述的半导体测试装置,其特征在于,其中该导电块包含:
一填充物,设置于该穿孔内,用以密封该穿孔的该第二端;以及
一导电层,设置于该穿孔的该第二端,用以填平该填充物表面并镕合该金属层。
10.如权利要求15所述的半导体测试装置,其特征在于,其中该填充物为金属或树脂的任一种。
11.如权利要求13所述的半导体测试装置,其中该连接器为压接式连接器。
12.一种半导体测试装置,其特征在于,是包含:
一载板,具有复数气密式导通孔,每一气密式导通孔是包含:
一穿孔,是形成于该载板上,该穿孔于该载板的纵向高度边际位置形成一第一端及一第二端;
一金属层,设置于该穿孔的内壁;以及
一填充块,该填充块的高度小于该载板的纵向高度而设置于该穿孔内、并用以密封该穿孔的该第二端;
至少一连接器,具有复数接脚,该些接脚插设于该些气密式导通孔;
一测试模块,具有一测试卡,该测试卡具有复数探针,该载板设置于该测试模块,该些探针顶至该些气密式导通孔的该些填充块;以及
一真空模块,真空吸取该载板,该载板与该测试模块间维持真空状态,以固定该载板于该测试模块,该些测试卡透过该些探针导通该连接器。
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