[发明专利]栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件有效
| 申请号： | 201110035850.1 | 申请日： | 2008-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102136491A | 公开（公告）日： | 2011-07-27 |
| 发明（设计）人： | 周业宁;杜尚晖;张睿钧;吴振玮 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极 绝缘 双接面 晶体管 静电 放电 防护 元件 | ||
1.一种栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，其特征在于，所述的栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件包括：
一半导体基底；
一高压N-型阱于所述半导体基底中；
一图案化的隔离区设置于所述高压N-型阱上，定义一第一主动区及一第二主动区；
一N-型双扩散区设置于所述高压N-型阱的所述第一主动区中；
一P-型浓掺杂漏极区设置于所述N-型双扩散区中；
一P-型体掺杂区于所述高压N-型阱的所述第二主动区中，其中所述N-型双扩散区和所述P-型体掺杂区相隔一特定距离，露出所述高压N-型阱；
一对相邻的一N-型和一P-型浓掺杂源极区设置于所述P-型体掺杂区中；以及
一栅极结构于所述高压N-型阱上，其一端与所述N-型浓掺杂源极区相接，其另一端延伸至所述图案化的隔离区上。
2.如权利要求1所述的栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，其特征在于，所述P-型浓掺杂漏极区的面积小于所述第一主动区的面积。
3.如权利要求2所述的栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，其特征在于，所述P-型浓掺杂漏极区包括多个分离的岛区。
4.一种栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，其特征在于，所述的栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件包括：
一半导体基底；
一高压N-型阱于所述半导体基底中；
一图案化的隔离区设置于所述高压N-型阱上，定义一第一主动区及一第二主动区；
一P-型双扩散区设置于所述高压N-型阱的所述第一主动区中；
一P-型浓掺杂漏极区设置于所述P-型双扩散区中；
一P-型体掺杂区于所述高压N-型阱的所述第二主动区中，其中所述P-型双扩散区和所述P-型体掺杂区相隔一特定距离，露出所述高压N-型阱；
一对相邻的一N-型和一P-型浓掺杂源极区设置于所述P-型体掺杂区中；以及
一栅极结构于所述高压N-型阱上，其一端与所述N-型浓掺杂源极区相接，其另一端延伸至所述图案化的隔离区上。
5.一种栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，其特征在于，所述的栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件包括：
一半导体基底；
一高压P-型阱于所述半导体基底中；
一高压N-型阱于所述半导体基底中；
一图案化的隔离区设置于所述半导体基底上，定义一第一主动区于所述高压N-型阱及一第二主动区和一第三主动区于所述高压P-型阱；
一P-型浓掺杂漏极区设置于所述第一主动区中；
一N-型浓掺杂源极区设置于所述第二主动区中，且一P-型浓掺杂源极区设置于所述第三主动区中；以及
一栅极结构于所述高压P-型阱上，其一端与所述N-型浓掺杂源极区相接，其另一端延伸至所述图案化的隔离区上。
6.一种栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件，其特征在于，所述的栅极绝缘双接面晶体管静电放电防护元件包括：
一半导体基底；
一图案化的隔离区设置于所述半导体基底上，定义一第一主动区及一第二主动区；
一栅极结构设置于所述半导体基底的所述第一主动区上；
一N-型双扩散区位于所述栅极结构的一侧，且设置所述半导体基底的所述第一主动区中；
一N-型阱设置于所述N-型双扩散区中，其底部延伸至所述半导体基底；
一P-型浓掺杂漏极区设置于所述N-型阱中；
一N-型浓掺杂源极区设置于所述栅极结构的另一侧的所述半导体基底中；以及
一P-型浓扩散区设置于所述半导体基底的所述第二主动区中。
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