[发明专利]用于溅射腔室的工艺套件组件

权利要求书

1.一种设置在溅射腔室中衬底支架周围的沉积环，所述衬底支架包括具有平面的衬底承载表面和在所述衬底的悬伸边之前终止的外围侧壁，所述沉积环包括：

(a)环形带，其具有围绕所述支架的所述外围壁的暴露表面，并且所述环形带包括：

(i)沿所述环形带横向延伸的内唇缘，所述内唇缘基本上平行于所述支架的外围壁并在所述支架的所述悬伸边下面终止；

(ii)凸起的脊，其基本上平行于所述衬底支架的所述承载表面的所述平面；

(iii)在所述内唇缘和所述凸起的脊之间的内开口沟道，所述内开口沟道至少部分在所述衬底的所述悬伸边的下面延伸；以及

(iv)所述凸起的脊的径向向外的壁架。

2.根据权利要求1所述的环，其特征在于，所述环形带的所述暴露表面包括150±50微英寸的表面平均粗糙度。

3.根据权利要求1所述的环，其特征在于，所述环形带由氧化铝组成。

4.根据权利要求3所述的环，其特征在于，所述氧化铝具有至少99.5％的纯度。

5.根据权利要求1所述的环，其特征在于，所述环形带的所述暴露表面是颗粒轰击表面。

6.一种包括根据权利要求1所述的沉积环并且还包括覆盖环的环组件，其特征在于，所述沉积环的环形带的凸起的脊和与所述覆盖环间隔设置并覆盖在所述覆盖环的下表面上限定阻止等离子体物质通过狭窄间隙传播的所述间隙。

7.一种设置在溅射腔室中衬底支架周围的覆盖环，所述衬底支架包括具有平面的衬底承载表面，所述覆盖环包括：

(i)环形板，其包括设置在所述衬底支架周围表面上的基脚，以及基本上平行于所述衬底支架的所述承载表面的暴露表面；以及

(ii)第一和第二柱状壁，其从所述环形板向下延伸，所述第一柱状壁具有比所述第二柱状壁的第二长度至少小10％的第一长度。

8.根据权利要求7所述的覆盖环，其特征在于，所述环形板的所述暴露表面包括175±75微英寸的表面平均粗糙度。

9.根据权利要求7所述的覆盖环，其特征在于，所述环形板由不锈钢组成。

10.根据权利要求7所述的覆盖环，其特征在于，所述环形板的所述暴露表面是颗粒轰击表面。

11.一种包括根据权利要求7所述的覆盖环并且还包括沉积环的环组件，其特征在于，所述覆盖环的所述基脚放置在所述沉积环的壁架上，使得所述覆盖环至少部分覆盖所述沉积环。

12.根据权利要求11所述的环组件，其特征在于，所述覆盖环的所述环形板和所述沉积环的凸起的脊限定阻止等离子体物质通过狭窄间隙传播的所述间隙。

13.一种放置在溅射腔室中衬底支架周围的环组件，所述衬底支架包括具有平面的衬底承载表面和在所述衬底的悬伸边之前终止的外围壁，所述环组件包括：

(a)沉积环，其包括具有围绕所述支架的外围壁的暴露表面的环形带，所述环形带包括：

(i)沿所述环形带横向延伸的内唇缘，所述内唇缘基本上平行于所述支架的外围壁并在所述支架的所述悬伸边下面终止；

(ii)凸起的脊，其基本上平行于所述衬底支架的所述承载表面的所述平面；

(iii)在所述内唇缘和所述凸起的脊之间的内开口沟道，所述内开口沟道至少部分在所述衬底的悬伸边的下面延伸；以及

(iv)所述凸起的脊的径向向外的壁架；以及

(b)覆盖环，该覆盖环至少部分覆盖所述沉积环，所述覆盖环包括：

(i)环形板，其包括放置在所述衬底支架周围的表面上的基脚，以及基本上平行于所述衬底支架的所述承载表面的暴露表面；以及

(ii)第一和第二柱状壁，其沿所述环形板向下延伸，所述第一柱状壁具有比所述第二柱状壁的第二长度至少小10％的第一长度。

14.根据权利要求13所述的环组件，其特征在于，如下至少其中之一：

(i)所述沉积环的所述暴露表面包括150±50微英寸的表面平均粗糙度；或

(ii)所述沉积板的所述暴露表面包括175±75微英寸的表面平均粗糙度。