[发明专利]用来进行区块管理的方法、记忆装置及其控制器

说明书

技术领域

本发明有关于闪存(Flash Memory)的存取(Access)，更具体地说，涉及一种用来进行区块管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器。

背景技术

近年来由于闪存的技术不断地发展，各种可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD标准的记忆卡)或具备闪存的固态硬盘(Solid State Drive，SSD)被广泛地实施在诸多应用中。因此，这些记忆装置中的闪存的访问控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(Single LevelCell，SLC)与多阶细胞(Multiple Level Cell，MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管的储存能力则被充分利用，采用较高的电压来驱动，以透过不同级别的电压在一个晶体管中记录两组(或以上)位信息(00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的可携式记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。为了确保记忆装置对闪存的访问控制能符合相关规范，闪存的控制器通常备有某些管理机制以妥善地管理数据的存取。

依据相关技术，有了这些管理机制的记忆装置还是有不足之处。举例来说，相关技术的管理机制无法保证在闪存中进行损耗整平(Wear Leveling)运作时能达到最佳的处理效能。因此，需要一种新颖的方法来进行区块管理，以在进行抹除运作时能适应性地选择用来保存有效数据(Valid Data)的区块。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的管理机制无法保证在闪存中进行损耗整平运作时能达到最佳的处理效能的缺陷，提供一种用来进行区块管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以解决上述问题。

本发明的另一目的在于提供一种用来进行区块管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以在进行损耗整平(Wear Leveling)运作时能达到最佳的处理效能。

本发明的另一目的在于提供一种用来进行区块管理的方法以及相关的记忆装置及其控制器，以在进行一目标区块的抹除运作时能适应性地选择用来保存/储存该目标区块中的有效数据(Valid Data)的区块。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案之一是：提供一种来进行区块管理的方法，该方法应用于一闪存(Flash Memory)的控制器，该闪存包含多个区块，该方法包含有：在该闪存的一数据区(Data Region)中的至少一部分区块当中选择抹除次数(Erase Count)最低的一目标区块，作为一待抹除区块，其中该至少一部分区块的序号分别对应于该至少一部分区块的最新更新的顺序；以及依据该目标区块的序号决定应当将该目标区块中的有效数据移动/复制至一高损耗区块(Heavily Worn Block)或一低损耗区块(Lightly Worn Block)，其中该高损耗区块的损耗程度大于该低损耗区块的损耗程度。

上述本发明所述的方法，其中依据该目标区块的序号决定应当将该目标区块中的有效数据移动/复制至该高损耗区块或该低损耗区块的步骤另包含：

计算该目标区块的序号与一最新存取区块的序号之间的差值；以及

依据该差值决定应当将该目标区块中的有效数据移动/复制至该高损耗区块或该低损耗区块。

上述本发明所述的方法，其中依据该目标区块的序号决定应当将该目标区块中的有效数据移动/复制至该高损耗区块或该低损耗区块的步骤另包含：

比较该差值与一门坎值以决定是否将该有效数据移动/复制至该高损耗区块。

上述本发明所述的方法，其中依据该目标区块的序号决定应当将该目标区块中的有效数据移动/复制至该高损耗区块或该低损耗区块的步骤另包含：

当该差值达到该门坎值时，将该有效数据移动/复制至该高损耗区块。

上述本发明所述的方法，其中依据该目标区块的序号决定应当将该目标区块中的有效数据移动/复制至该高损耗区块或该低损耗区块的步骤另包含：

比较该差值与一门坎值以决定是否将该有效数据移动/复制至该低损耗区块。