[发明专利]内存控制器、记忆装置以及判断记忆装置的型式的方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种记忆装置，更具体地说，涉及一种闪存控制器，快闪记忆装置以及判断记忆装置的型式的方法。

背景技术

一般而言，目前的快闪记忆装置大致上可以分为双倍数据率与非门型(Double Data Rate NAND-type，DDR NAND-type)快闪记忆装置以及单倍数据率与非门型(Single Data Rate NAND-type，SDR NAND-type)快闪记忆装置，而快闪记忆装置中的闪存控制器在启动时，会主动侦测快闪记忆装置是属于双倍数据率与非门型或是单倍数据率与非门型，之后才能正确地进行操作。

目前的闪存控制器读取闪存芯片中所储存的一个特定位的内容来判断快闪记忆装置的型式，然而，因为在读取位数据时可能会发生读取错误，再加上不同厂商对该特定位的位置定义不同，因此若是闪存控制器仅使用一个特定位来判断快闪记忆装置的型式，很容易导致型式误判，而造成后续在操作上的问题。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的闪存控制器仅使用一个特定位来判断快闪记忆装置的型式很容易导致型式误判的缺陷，提供一种内存控制器、一种记忆装置以及一种判断记忆装置的型式的方法，其可以准确地判断记忆装置的型式，以解决上述的问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案之一是：提供一内存控制器，一内存控制器包含有一频率侦测器以及一微处理器，其中该频率侦测器用来侦测该内存控制器的一特定接脚上是否具有一频率讯号，以产生一侦测结果；该微处理器耦接于该频率侦测器，且用来依据该侦测结果以判断该内存控制器被使用在哪一种型式的记忆装置。

上述本发明所述的内存控制器，其中当该内存控制器启动时，该微处理器传送一读取命令至一内存；以及在该微处理器传送该读取命令至该内存之后，该频率侦测器侦测该内存控制器的该特定接脚上是否有该内存因该读取命令所输出该第一频率讯号。

上述本发明所述的内存控制器，其中当该侦测结果表示该特定接脚上有该第一频率讯号时，该微处理器判断该内存控制器被使用在一双倍数据率与非门型快闪记忆装置。

上述本发明所述的内存控制器，其中当该侦测结果表示该特定接脚上没有该第一频率讯号时，该微处理器判断该内存控制器被使用在一单倍数据率与非门型快闪记忆装置。

上述本发明所述的内存控制器，其中该频率侦测器包含有：

一控制单元，其中当该内存控制器启动时，该控制单元会输出一状态讯号；

至少一正反器，具有一数据输入端耦接于该控制单元，一频率接收端耦接于该特定接脚，以及一数据输出端；

一判断单元，耦接于该至少一正反器的该数据输出端，并依据该至少一正反器的该数据输出端的状态以产生该侦测结果。

上述本发明所述的内存控制器，其中该频率侦测器对该内存控制器的该特定接脚上进行多次侦测才产生该侦测结果。

上述本发明所述的内存控制器，其中当该侦测结果表示在该多次侦测中，该特定接脚上有该第一频率讯号的次数大于一临界值时，该微处理器判断该内存控制器被使用在一双倍数据率与非门型快闪记忆装置。

上述本发明所述的内存控制器，其中当该侦测结果表示在该多次侦测中，该特定接脚上有该第一频率讯号的次数不大于一临界值时，该微处理器判断该内存控制器被使用在一单倍数据率与非门型快闪记忆装置。

上述本发明所述的内存控制器，其中该频率侦测器包含有：

一取样单元，用来使用一第二频率讯号来对该特定接脚上的电压准位进行取样，以产生一取样后讯号；以及

一计数器，耦接于该取样单元，用来依据该取样后讯号以累计该特定接脚上电压准位变动的次数，以产生该侦测结果。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案之二是：提供一种判断一记忆装置的型式的方法，一种判断一记忆装置的型式的方法包含有：侦测设置在该记忆装置中一内存控制器的一特定接脚上是否具有一频率讯号，以产生一侦测结果；以及依据该侦测结果以判断该记忆装置的型式。

上述本发明所述的方法，另包含有：

当该内存控制器启动时，传送一读取命令至一内存；以及

产生该侦测结果的步骤包含有：

在传送该读取命令至该内存之后，侦测该内存控制器的该特定接脚上是否有该内存因该读取命令所输出该第一频率讯号，以产生该侦测结果。

上述本发明所述的方法，其中依据该侦测结果以判断该记忆装置的型式的步骤包含有：