[发明专利]内连线结构及使用该结构的装置、线路结构与方法

权利要求书

1.一种内连线结构，其特征在于，设置于第一导电层与第二导电层之间，其中该第一导电层与该第二导电相互平行，该第一导电层与该第二导电层分别包括一第一信号线与一第二信号线，该内连线结构包括：

一导电柱，穿行于该第一导电层与第二导电层之间，该导电柱电性连接到该第一信号线与该第二信号线；以及

一遮蔽墙柱，设置于该第一导电层与第二导电层之间，并电性连接到一参考导线，其中，该遮蔽墙围绕该导电柱位于该第一导电层与该第二导电层之间外围的局部区域，并且电性耦合到该导电柱。

2.根据权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，该导电柱穿行于该第一导电层与该第二导电层之间的形状为一第一几何形状，该遮蔽墙柱穿行于该第一导电层与该第二导电层之间的形状为一第二几何形状，其中该第一几何形状不同于该第二几何形状。

3.根据权利要求2所述的内连线结构，其特征在于，该导电柱穿行于该第一导电层与该第二导电层之间的形状为圆形。

4.根据权利要求2所述的内连线结构，其特征在于，该第一几何形为圆形，而该第二几何形状为半月形，该半月形的凹处面向或背向该导电柱。

5.根据权利要求2所述的内连线结构，其特征在于，该遮蔽墙柱面向该导电柱至少一第一面积，其中该第一面积大于该导电柱投射到该遮蔽墙柱的一第二面积，其中，该第一面积具有遮蔽除了该导电柱面向该遮蔽墙柱方向在该第二面积上的电场之外其它的区域。

6.根据权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，该参考导线位于接地层或电源层其中之一，该接地层或该电源层平形于该第一导电层或该第二导电层两者或其中之一。

7.根据权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，该参考导线位于该第二导电层，并与该第二信号线电性隔离，但电性连接到接地或电源电位其中之一。

8.根据权利要求1所述的内连线结构，其特征在于，该内连线结构包括多个该些遮蔽墙柱，其中，该些遮蔽墙柱围绕该导电柱外围。

9.一种装置，包括一介质板以及如权利要求1所述的内连线结构，其中该内连线结构配置在该介质板。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，该介质板包括硅、玻璃、印刷电路板或陶瓷衬底其中之一。

11.一种装置，其特征在于，包括一硅板以及如权利要求1所述的内连线结构，其中，该硅板包括

一第一绝缘层与一第二绝缘层，在该硅板的一第一平面与一第二表面，其中该第一表面与该第二表面互相平行，其中，该第一导电层配置在该第一绝缘层的一侧，而相对另一侧则面向该硅板内，该第一导电层配置在该第一绝缘层上，其中，该第二导电层配置在该第二绝缘层的一侧，而相对另一侧则面向该硅板内，该第二导电层配置在该第二绝缘层上；

一第一穿孔与一第二穿孔，其中该导电柱配置于该第一穿孔内，而该遮蔽墙柱配置位于该第二穿孔内；

一第一绝缘介质，介于该第一穿孔侧壁与该导电柱之间；以及

一第二绝缘介质，介于该第二穿孔侧壁与该遮蔽墙柱之间，其中，

该第一穿孔、第二穿孔穿行于该硅板之间的形状分别为一第一几何形状与一第二几何形状，其中该第一几何形状不同于该第二几何形状。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，该第一几何形状为圆形。

13.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，该第一几何形为圆形，而该第二几何形状为半月形，该半月形的凹处面向或背向该导电柱。

14.一种内连线结构，其特征在于，设置于相互平行的一第一导电层与一第二导电层之间，其中该第一导电层包括一信号线，该内连线结构包括：

一导电柱，穿行于该第一导电层与该第二导电层之间，该导电柱连接该第一导电层的该信号线；以及

一遮蔽墙柱，设置于该第一导电层与该第二导电层之间，该遮蔽墙柱围绕该导电柱外围的局部区域，并且电性耦合到该导电柱。

15.根据权利要求14所述的内连线结构，其特征在于，该导电柱穿行于该第一导电层与该第二导电层之间的形状为一第一几何形状，该遮蔽墙柱穿行于该第一、第二导电层与该参考导电层之间的形状为一第二几何形状，其中该第一几何形状不同于该第二几何形状。