[发明专利]一种图形化衬底的工艺及其结构以及发光二极管芯片

权利要求书

1.一种图形化衬底的工艺，其特征在于包括以下步骤：

步骤一、在用于生长半导体外延片的蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶；

步骤二、通过曝光显影将光刻胶构图；

步骤三、通过电子束蒸发台蒸镀或磁控溅射机台在光刻胶构图层上溅镀一层图形化的粗化结构；

步骤四、去除光阻，留下图形化的粗化结构。

2.根据权利要求1所述的一种图形化衬底的工艺，其特征在于：在步骤四之后进行高温处理，所述高温处理的温度在600℃～1200℃之间。

3.根据权利要求2所述的一种图形化衬底的工艺，其特征在于：所述高温处理的温度在800℃～1000℃之间。

4.根据权利要求3所述的一种图形化衬底的工艺，其特征在于：所述高温处理的温度为800℃或850℃或900℃。

5.根据权利要求1至4任一项所述的一种图形化衬底的工艺，其特征在于：所述光刻胶构图的图形单元为圆形、方形、梯形、正六边形、菱形、三角形或不规则图形中的任何一种或几种组合而成。

6.根据权利要求5所述的一种图形化衬底的工艺，其特征在于：所述光刻胶构图的图形单元之间的间距在2微米至5微米之间，所述粗化结构的厚度在0.5微米至3微米之间。

7.根据权利要求1至6任一项所述的一种图形化衬底的工艺，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底，所述粗化结构的材料是与蓝宝石衬底同组分不同晶格的Al₂O₃。

8.一种图形化衬底的结构，其特征在于：衬底上镀有一层图形化的粗化结构。

9.根据权利要求8所述的图形化衬底的结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底，所述粗化结构的成分为Al₂O₃。

10.根据权利要求9所述的图形化衬底的结构，其特征在于，所述粗化结构的图形单元为圆形、方形、梯形、正六边形、菱形、三角形或不规则图形中的任何一种或几种组合而成。

11.根据权利要求10所述的一种图形化衬底的结构，其特征在于：所述光刻胶构图的图形单元之间的间距在2微米至5微米之间，所述粗化结构的厚度在0.5微米至3微米之间。

12.根据权利要求9至11任一项所述的一种图形化衬底的结构，其特征在于：所述粗化结构的材料是与蓝宝石衬底同组分不同晶格的Al₂O₃。

13.一种发光二极管芯片：包括衬底，依次生长在衬底上的N型层、发光层、P型层以及设置在N型层与P型层上的N电极和P电极，其特征在于：在所述衬底与N型层之间镀有一层图形化的粗化结构。

14.根据权利要求13所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：所述粗化结构的图形单元为圆形、方形、梯形、正六边形、菱形、三角形或不规则图形中的任何一种或几种组合而成。

15.根据权利要求14所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述粗化结构的厚度在0.5微米至3微米之间，所述粗化结构的图形单元之间的间距在2微米至5微米之间。

16.根据权利要求13至15任一项所述的一种图形化衬底的工艺，其特征在于：所述衬底为蓝宝石衬底，所述粗化结构的材料是与蓝宝石衬底同组分不同晶格的Al₂O₃。

17.根据权利要求16所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述蓝宝石衬底的背面还设置有一层金属反射层。

18.根据权利要求17所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述粗化结构与N型层之间设置有一层缓冲层。

19.根据权利要求18所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述P型层与P电极之间设置有一层电流扩散层。

20.根据权利要求19所述的发光二极管芯片，其特征在于：在所述P型层与电流扩散层之间，对应P电极的位置上形成有电流阻挡层。