[发明专利]制备沟槽底部辅助栅介质层以及沟槽DMOS管的方法

权利要求书

1.一种沟槽DMOS管的沟槽底部辅助栅介质层的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)提供已形成所述沟槽的衬底，并氧化形成第一栅氧介质层；

(2)在所述第一栅氧介质层上沉积形成辅助栅介质层；

(3)涂覆光刻胶以覆盖所述辅助栅介质层；

(4)控制干法刻蚀条件刻蚀所述光刻胶、以使仅在所述沟槽中残留一定厚度的光刻胶；

(5)以所述残留的光刻胶为掩膜刻蚀所述辅助栅介质层；以及

(6)去除沟槽中所残留的光刻胶。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)包括以下步骤：

(1a)在用于制备所述沟槽DMOS管的衬底上形成掩膜介质层；

(1b)对所述掩膜介质层构图刻蚀以打开欲形成所述沟槽的衬底区域；

(1c)以所述掩膜介质层为掩膜刻蚀形成所述沟槽；

(1d)在所述沟槽内表面氧化形成牺牲氧化层；以及

(1e)刻蚀去除所述掩膜介质层和所述牺牲氧化层。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜介质层为低压化学气相淀积的氧化硅。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述衬底包括：

高掺杂的N+基片，

形成于所述N+基片之上的N型外延层，以及

形成于所述N型外延层之上的P型本体区。

5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽的深度大于所述P型本体区的厚度、且小于所述P型本体区的厚度与所述N型外延层的厚度的和。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述辅助栅介质层的厚度为所述沟槽深度的25％至30％。

7.如权利要求1或6所述的制备方法，其特征在于，所述辅助栅介质层的厚度基本等于3000埃。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述辅助栅介质层通过高密度等离子化学气相沉积形成。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述光刻胶的黏度基本为29。

10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽中所残留的光刻胶的厚度为所述沟槽深度的25％至30％。

11.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，刻蚀所述辅助栅介质层时，所述辅助栅介质层的刻蚀速率与所述光刻胶的刻蚀速率的比值被控制，以确保在刻蚀所述辅助栅介质层后所述沟槽底部辅助栅介质层之上仍残留有所述光刻胶。

12.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，同时刻蚀未被所述辅助栅介质层覆盖的所述第一栅氧介质层部分。

13.如权利要求1或12所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，所述刻蚀为干法刻蚀。

14.一种沟槽DMOS管的制备方法，包括沟槽形成步骤以及栅极形成步骤，其特征在于，包括权利要求1-13任一项所述的沟槽底部辅助栅介质层的制备方法过程。

15.如权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述沟槽底部辅助栅介质层的制备方法过程结束后执行栅极形成步骤，所述栅极形成步骤包括：

氧化生成第二栅氧介质层；以及

在所述沟槽中形成多晶硅栅电极。