[发明专利]一种发光二极管芯片结构无效
| 申请号： | 201110037091.2 | 申请日： | 2011-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN102637799A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 张楠;齐胜利;潘尧波;郝茂盛 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 结构 | ||
1.一种发光二极管芯片结构，包括：N型半导体层、位于所述N型半导体层之上的有源层、位于所述有源层之上的P型半导体层、与所述N型半导体层电连接的N电极以及与所述P型半导体层电连接的P电极，其特征在于：
在所述P型半导体层之上设有P型欧姆接触电极层；
在所述P型欧姆接触电极层之上设有绝缘阻隔结构；
在所述绝缘阻隔结构上设有P型透明导电层，所述P型透明导电层将所述绝缘阻隔结构包裹；
所述P电极与所述P型透明导电层接触。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述P型欧姆接触电极层厚度为2-200nm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述P型欧姆接触电极层采用ITO、Ni、Au、NiO、ZnO材料中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述绝缘阻隔结构为设有多个通孔的绝缘层，所述绝缘层厚度为0.01-0.2μm，所述通孔直径为0.01-10μm，多个所述通孔之间的间隔为0.01-10μm。
5.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述绝缘阻隔结构包括多个柱状绝缘结构，所述柱状绝缘结构高为0.01-0.2μm，宽为0.01-10μm，多个所述柱状绝缘结构之间的间隔为0.01-10μm。
6.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述绝缘阻隔结构采用氧化硅或氮化硅材料。
7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述P型透明导电层的厚度为0.2-0.5μm。
8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述P型透明导电层的表面为粗化结构。
9.根据权利要求1所述的发光二极管芯片结构，其特征在于：所述P型透明导电层为ITO、Ni、Au、NiO、ZnO材料中的一种或多种。
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