[发明专利]二次电子装置及使用其的离子注入机有效

专利信息
申请号: 201110037107.X 申请日: 2011-01-27
公开(公告)号: CN102623288A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 阳厚国;薛文卿 申请(专利权)人: 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李湘;高为
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 二次电子 装置 使用 离子 注入
【权利要求书】:

1.一种二次电子装置,所述二次电子装置被用于中和离子注入过程中离子束所携带的正电荷,其特征在于,所述二次电子装置包括二次电子发射器、悬空挡板以及电压源,其中

所述电子发射器和所述悬空挡板被布置使得所述离子束从所述电子发射器与所述悬空挡板之间通过到达接受离子注入的晶片,所述悬空挡板与离子束系统保持绝缘;并且其中

所述电压源的负极连接至所述二次电子发射器,而所述电压源的正极连接至所述悬空挡板。

2.如权利要求1所述的二次电子装置,其特征在于,所述二次电子装置还包括电流检测系统,其中所述电流检测系统与所述悬空挡板相同地连接在所述电压源的正极。

3.如权利要求1所述的二次电子装置,其特征在于,其中所述悬空挡板由石墨制成。

4.如权利要求3所述的二次电子装置,其特征在于,其中所述悬空挡板的尺寸为长15厘米,宽5厘米,高2厘米。

5.如权利要求1所述的二次电子装置,其特征在于,所述电压源是可调的。

6.如权利要求5所述的二次电子装置,其特征在于,其中所述电压源的调节范围为0-15伏。

7.如权利要求5所述的二次电子装置,其特征在于,其中所述电压源由15V的恒压源和滑动变阻器构成。

8.如权利要求5所述的二次电子装置,其特征在于,其中根据注入离子的能量调节所述电压源。

9.如权利要求5所述的二次电子装置,其特征在于,其中根据注入离子的种类调节所述电压源。

10.如权利要求1所述的二次电子装置,其特征在于,其中所述二次电子发射器通过采用灯丝激发的热电子轰击惰性气体来发射二次电子。

11.一种离子注入机,其特征在于,所述离子注入机包括如权利要求1至10中任意一项所述的二次电子装置。

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