[发明专利]一种LED灯增透微纳结构制备方法

权利要求书

1.一种LED灯增透微纳结构制备方法，其特征在于实现步骤如下：

①采用旋转甩胶的办法在硅片表面旋涂光刻胶，并对光刻胶进行烘焙和冷却；

②采用传统光刻工艺在旋涂有光刻胶的硅片表面加工亚微米甚至纳米尺度的光栅结构，形成携带有光栅结构的硅片；

③沿垂直光栅方向，将携带有光栅结构的硅片进行断裂，形成剖面结构；

④将断裂后的硅片剖面结构进行蒸镀金刚石膜；

⑤在基底表面蒸镀或涂覆有机层，在有机层表面蒸镀金属层；

⑥将已蒸镀金刚石膜后的硅片断面与基底表面的金属层成倾斜角度进行接触，并用力拖拽硅片，利用硅片断面处的微纳结构将基底表面的有机层和金属层刻划出需要的纳米结构；

⑦将该微纳结构转移至LED模具表面；注塑完成后，携带有微纳结构的LED光束整形透镜即具有抗反射、增透的作用。

2.根据权利要求1所述的一种LED灯增透微纳结构制备方法，其特征在于：所述步骤②中所采用的传统光刻工艺包括接近式光刻、接触式光刻、电子束、激光束、聚焦离子束技术。

3.根据权利要求1所述的一种LED灯增透微纳结构制备方法，其特征在于：所述步骤⑤中的有机层材料是PMMA、或PC及各种可用于蒸镀、涂覆的有机高分子材料；有机层的厚度范围从100nm20um。

4.根据权利要求1所述的一种LED灯增透微纳结构制备方法，其特征在于：所述步骤⑤中金属层材料为金、银、铜或氧化铟锡(ITO)导电膜层，金属层的厚度范围从20nm～1um。

5.根据权利要求1所述的一种LED灯增透微纳结构制备方法，其特征在于：所述步骤⑥中携带有光栅的硅片与基底的倾斜角度为30度-60度。

6.根据权利要求1所述的一种LED灯增透微纳结构制备方法，其特征在于：所述步骤④中蒸镀金刚石膜的厚度范围从20nm～200nm。

7.根据权利要求1所述的一种LED灯增透微纳结构制备方法，其特征在于：所述①中的烘焙时间为10～60分钟，烘焙温度从60～120摄氏度，冷却时间从30～60分钟，冷却环境为自然环境。

8.根据权利要求1所述的一种LED灯增透微纳结构制备方法，其特征在于：所述亚微米指100nm～2um，纳米指1nm～100nm。

9.根据权利要求1所述的一种LED灯增透微纳结构制备方法，其特征在于：所述步骤③光栅结构的形状为三角形、矩形、半圆形等。