[发明专利]薄膜晶体管与其形成方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的形成方法，包括：

形成一栅极于一基板上；

形成一栅极介电层于该栅极与该基板上；

形成一源极/漏极于该栅极两侧的该栅极介电层上；

形成一氧化物半导体层于该源极/漏极与该栅极介电层上；

形成一绝缘层于该氧化物半导体层上；以及

图案化该绝缘层与该氧化物半导体层，形成一绝缘盖层覆盖一沟道层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的形成方法，其特征在于，该绝缘层是一有机材料，且形成该绝缘层的方法包括旋转涂布法、狭缝涂布法、或浸泡法。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的形成方法，其特征在于，该绝缘层是一无机材料，且形成该绝缘层的方法包括直接沉积该无机材料于该氧化物半导体层上。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的形成方法，其特征在于，该绝缘层是一金属钝化层，且形成该绝缘层的方法包括沉积一金属层于该氧化物半导体层上，再钝化该金属层。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的形成方法，其特征在于，钝化该金属层的方法包括氧化该金属层或氮化该金属层。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管的形成方法，其特征在于，形成该氧化物半导体层于该源极/漏极与该栅极介电层上的步骤与形成该绝缘层于该氧化物半导体层上的步骤是于同一反应腔中进行，或者于等压系统中的不同反应腔中进行。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管的形成方法，其特征在于，图案化该绝缘层与该氧化物半导体层的步骤为一段蚀刻或分段蚀刻。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的形成方法，其特征在于，该一段蚀刻包括干式蚀刻或湿式湿刻。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管的形成方法，其特征在于，该分段蚀刻包括气体置换的干式蚀刻、蚀刻液置换的湿式蚀刻、或者气体置换的干式蚀刻与蚀刻液置换的湿式蚀刻的组合。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管的形成方法，其特征在于，在形成该绝缘盖层覆盖该沟道层的步骤后，更包括：

形成一保护层于该绝缘盖层、该源极/漏极、与该栅极介电层上；

形成一接触孔穿过该保护层以露出部分该漏极；以及

形成一导电图案于该保护层上以作为一像素电极，且该导电图案经该接触孔接触该漏极。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管的形成方法，其特征在于，该源极/漏极的材质包括铜，且在形成该绝缘盖层覆盖该沟道层的步骤后与形成该保护层的步骤前，更包括一还原该源极/漏极的步骤。

12.一种薄膜晶体管，包括：

一栅极，位于一基板上；

一栅极介电层，位于该栅极与该基板上；

一源极/漏极，位于该栅极两侧的该栅极介电层上；

一沟道层，位于该栅极中间部分的栅极介电层上，且该沟道层接触该源极/漏极；以及

一绝缘盖层，覆盖该沟道层，

其中该沟道层包括一氧化物半导体。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于，该绝缘盖层包括一有机材料或一无机材料。

14.如权利要求13所述的薄膜晶体管，其特征在于，该有机材料包括压克力系材料。

15.如权利要求13所述的薄膜晶体管，其特征在于，该无机材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化铪、或氮化铝。

16.如权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于，该绝缘盖层的下表面与该沟道层的上表面两者之间的宽度差距介于0μm至2μm之间。

17.如权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于更包括：

一保护层，位于该绝缘盖层、该源极/漏极、与该栅极介电层上；

一接触孔，穿过该保护层以露出部分该漏极；以及

一导电图案，位于该保护层上以作为一像素电极，且该导电图案经该接触孔接触该漏极。

18.如权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极/漏极的材料包括铜。