[发明专利]具有被动组件结构的半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种具有被动组件结构的半导体结构，包括：

一绝缘基板；

一被动组件结构层，形成于该绝缘基板；

一第一电性触点，形成于该被动组件结构层；以及

一第一介电层，覆盖该第一电性触点的一部分，其中该第一介电层具有一第一开孔，该第一电性触点的另一部分从该第一开孔露出。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该绝缘基板具有一第一贯孔，该半导体结构更包括：

一第二电性触点，形成于该第一贯孔。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该绝缘基板具有相对的一第一面与一第二面，该被动组件结构层形成于该绝缘基板的该第一面，该第二电性触点的一部分位于该第一贯孔内，该第二电性触点的另一部分邻近该绝缘基板的该第二面形成。

4.如权利要求2所述的半导体结构，更包括：

一第一种子层，形成于该绝缘基板与该第二电性触点之间。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该被动组件结构层包括：

一第一线路层，形成于该绝缘基板上；

一第二介电层，覆盖该第一线路层，其中该第二介电层具有一第二贯孔、一第一面及一第二贯孔内侧壁，该第二贯孔从该第二介电层的该第一面延伸至该第一线路层，该第二贯孔内侧壁对应于该第二贯孔，该第一线路层从该第二贯孔露出；

一第二线路层；

一第二种子层，形成于该第二线路层与该第二介电层之间；以及

其中，该第一电性触点形成于该被动组件结构层的该第二线路层上。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该第二线路层具有一露出表面，该第一电性触点覆盖该第二线路层的整个该露出表面。

7.如权利要求5所述的半导体结构，其中该第二线路层具有一露出表面，该第一电性触点仅覆盖该第二线路层的该露出表面的一部分。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该绝缘基板玻璃基板或陶瓷基板。

9.如权利要求1所述的半导体结构，更包括：

一环状结构，环绕该被动组件结构层的被动组件。

10.一种具有被动组件结构的半导体结构的制造方法，包括：

提供一绝缘基板；

形成一被动组件结构层于该绝缘基板；

形成一第一电性触点于该被动组件结构层；以及

形成一第一介电层覆盖该第一电性触点的一部分，其中该第一介电层具有一第一开孔，该第一电性触点的另一部分从该第一开孔露出。

11.如权利要求10所述的制造方法，更包括：

形成一第一贯孔贯穿该绝缘基板；以及

形成一第二电性触点于该第一贯孔。

12.如权利要求11所述的制造方法，其中于该提供该绝缘基板的该步骤中，该绝缘基板具有相对的一第一面与一第二面；于形成被动组件结构层的该步骤中，该被动组件结构层形成于该绝缘基板的该第一面；于形成该第二电性触点的该步骤中，该第二电性触点的一部分位于该第一贯孔内，该第二电性触点的另一部分邻近该绝缘基板的该第二面形成。

13.如权利要求11所述的制造方法，其中于形成该第一贯孔的该步骤中，该绝缘基板具有对应该第一贯孔的一第一贯孔内侧壁，于形成该第二电性触点的该步骤之前，该制造方法更包括：

形成一第一种子层于该第一贯孔内侧壁；

于形成该第二电性触点的该步骤中，该第二电性触点形成于该第一种子层上。

14.如权利要求13所述的制造方法，更包括：

移除该第一种子层的一部分，其中该第一种子层的该部分未被该第二电性触点覆盖。

15.如权利要求10所述的制造方法，其中于形成该第一电性触点的该步骤中，该第一电性触点由镍层、钯层与金层中至少一者所组成。