[发明专利]单元集合中的单元及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110037537.1 申请日: 2008-08-21
公开(公告)号: CN102194799A 公开(公告)日: 2011-09-21
发明(设计)人: 萨姆·齐昆·赵;钟重华;雷泽厄·拉曼·卡恩 申请(专利权)人: 美国博通公司
主分类号: H01L23/58 分类号: H01L23/58;H01L21/78
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 蔡晓红
地址: 美国加州尔湾市奥尔顿公*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 单元 集合 中的 及其 制造 方法
【说明书】:

本申请是申请日为2008年8月21日、申请号为200810213690.3、发明创造名称为“单元集合中的单元及其制造方法”的中国发明申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及集成电路封装,更具体地说,涉及防止裂纹蔓延造成集成电路封装损坏。

背景技术

在制造集成电路(IC)封装过程中,通常多个单元(例如基片、IC芯片等)同时制造。然后在切割分离工序中将每一个单元从单元集合中分离出来。然而,在这种切割分离工序中,当压力施加到单元区域上时,常常会损坏单元。具体地,施加压力所产生的裂纹可能引起电路迹线、电路连接器、电子器件、IC部件和其它要件失去功效。

随着产量不断增大,防止裂纹损坏条带上的一个或更多单元显得更加重要。此外,由于单元尺寸变小,单元集合的密度增大,使得裂纹严重损坏一个或更多单元的可能性增加。

因此,需要一种防止裂纹蔓延造成单元损坏的方法和系统。

发明内容

本发明介绍一种使用防护结构来防止单元损坏的系统和方法。在一个实施例中,单元集合中的单元包括功能区域和防护结构,该防护结构用于防止裂纹蔓延至所述功能区域中。

根据本发明的一方面,提供一种单元集合中的单元,包括

功能区域;及

防止裂纹蔓延至所述功能区域的防护结构。

作为优选,所述防护结构用于防止切割分离工序中造成的裂纹蔓延至所述功能区域。

作为优选,所述防护结构形成在所述单元在切割分离工序中的受压区域。

作为优选,所述防护结构沿所述单元集合的单元之间的边界形成。

作为优选,所述防护结构包括在所述单元表面形成的图案。

作为优选,所述防护结构包括从以下形式中选择的图案:网格、多根线条和多个剖切面(plane)。(参见第8页,第12行)

作为优选,所述防护结构包括金属材料。

作为优选,所述单元包括多层,其中所述表面是第一层的表面,所述防护结构还包括在第二层的表面形成的第二图案。

作为优选,所述防护结构还包括导通孔(via),所述导通孔将所述第一层表面形成的图案与所述第二层表面形成的图案相连接。

作为优选,所述功能区域包括电路迹线(circuit trace),其中所述图案包括与所述电路线迹相同的成分(element,但后面的实施例中提及composition)。

作为优选,所述防护结构包括多条导通孔。

作为优选,所述多条导通孔中的导通孔至少是电镀导通孔或填充导通孔中的一种。

作为优选,所述多条导通孔中的导通孔包括金属。

作为优选,所述功能区域包括导通孔,其中所述多根导通孔中的导通孔与所述功能区域的导通孔相同。

作为优选,所述多根导通孔中的导通孔位于所述单元集合的单元之间的一个或多个边界处。

作为优选,设置所述多根导通孔是用于吸收或反射裂纹能量。

作为优选,所述防护结构还包括多个水平板层(slab)。

作为优选,所述防护结构包括暴露电镀区域。

作为优选,所述暴露电镀区域用于防止所述单元的焊接掩模(solder mask)撕裂(tear)。

作为优选,所述暴露电镀区域包括金属。

作为优选,所述暴露电镀区域包括耐腐蚀材料。

作为优选,所述暴露电镀区域包括矩形区域或三角形区域中的一种。

作为优选,所述防护结构包括所述单元的焊接掩模中的缝隙。

作为优选,所述缝隙用于将剥落或撕裂限制在远离功能区域的区域。

作为优选,所述缝隙形成在所述单元的边角部分。

作为优选,所述单元为基片。

作为优选,所述防护结构用于增强所述单元的一部分。

作为优选,所述防护结构用于反射或吸收裂纹能量。

作为优选,所这防护结构用于削弱所述单元的一部分。

作为优选,所述防护结构用于限制裂纹。

作为优选,所述防护结构包括缝隙。

作为优选,所述缝隙靠近所述单元集合的单元之间的边界。

作为优选,所述单元是集成电路芯片且所述单元集合是晶圆。

作为优选,所述防护结构包括晶圆密封圈(seal ring)。

作为优选,所述晶圆密封圈包括多根导通孔。

作为优选,所述晶圆密封圈还包括多个水平层板。

根据本发明的一方面,提供一种制造单元条带(strip)中的单元的方法,包括:

形成功能区域;及

形成用于防止裂纹蔓延至所述功能区域中的防护结构。

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