[发明专利]三族氮化合物半导体紫外光发光二极管

权利要求书

1.一种三族氮化合物半导体发光二极管，其包括蓝宝石衬底、依次成长在该蓝宝石衬底上的n型半导体层、有源层以及p型半导体层，其特征在于，所述n型半导体层与有源层之间还成长有一n型应变层晶格结构，所述n型应变层晶格结构的晶格常数大于等于所述有源层的晶格常数，小于等于所述n型半导体层的晶格常数。

2.如权利要求1所述的三族氮化合物半导体发光二极管，其特征在于：所述n型半导体层为n型GaN层，所述有源层为In_yGa_1-yN/Al_zGa_1-zN，所述p型半导体层为 p型AlGaN层及p型GaN层，式中≤y≤1；0≤z≤1。

3.如权利要求1所述的三族氮化合物半导体发光二极管，其特征在于：所述n型应变层晶格结构的具体结构为(Al_xGa_1-xN-GaN)_m，其由Al_xGa_1-xN层和GaN层交替分布，其中0≤x≤1，m代表层数。

4.如权利要求1所述的三族氮化合物半导体发光二极管，其特征在于：所述n型应变层晶格结构的结构具体为(Al_xGa_1-xN-Al_kGa_1-kN)_m，其由Al_xGa_1-xN层和Al_kGa_1-kN层交替分布，其中0≤x≤1，0≤k≤1，m代表层数。

5.如权利要求1所述的三族氮化合物半导体发光二极管，其特征在于：所述蓝宝石衬底上还依次生长有一未掺杂的GaN生长层、一未掺杂的GaN过渡层，所述n型半导体层生长在该未掺杂的GaN过渡层上。

6.如权利要求1所述的三族氮化合物半导体发光二极管，其特征在于：所述p型半导体层上还生长有一p型GaN层。

7.如权利要求1所述的三族氮化合物半导体发光二极管，其特征在于：所述n型应变层晶格结构的厚度为2～2.5μm。

8.如权利要求1所述的三族氮化合物半导体发光二极管，其特征在于：所述n型应变层晶格结构采用金属化学气相淀积法在制备发光二极管器件的过程中一次性生长出来。

9.如权利要求1所述的三族氮化合物半导体发光二极管，其特征在于：所述n型应变层晶格结构中掺硅n型杂质；所述p型半导体层中掺镁p型杂质。