[发明专利]半导体元件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体元件的形成方法，包括：

提供一基底；

于该基底上形成一焊料凸块；

将一少量元素导入至一区域中，该区域邻接该焊料凸块的一顶表面；以及

对该焊料凸块进行一回焊工艺以驱使该少量元素进入该焊料凸块之中。

2.如权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其中导入该少量元素的步骤包括：

将该少量元素预先混合至一助熔剂之中；以及

将该助熔剂披覆于该焊料凸块的该顶表面之上。

3.如权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其中导入该少量元素的步骤包括进行一无电镀工艺以于该焊料凸块的一表面上形成一含少量元素材料层，该含少量元素材料层包括该少量元素。

4.如权利要求3所述的半导体元件的形成方法，其中进行该无电镀工艺的步骤包括相继地镀上该含少量元素材料层，该含少量元素材料层是选自由一钴层、一镍层、一铜层、及前述的组合所组成的族群。

5.如权利要求4所述的半导体元件的形成方法，还包括进行一浸镀以于该含少量元素材料层上形成一金层。

6.如权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其中导入该少量元素的步骤包括将该少量元素注入至该焊料凸块的一表面层之中。

7.如权利要求6所述的半导体元件的形成方法，其中在注入该少量元素的步骤之后，及在进行该回焊工艺之前，还包括于该焊料凸块的该顶表面上披覆一助熔剂。

8.如权利要求1所述的半导体元件的形成方法，其中该少量元素选自由锗、铋、锌、镍、银、钴、铟、铁、锰、钛、铈、锑、及前述的组合所组成的族群。

9.一种半导体元件的形成方法，包括：

提供一基底；

于该基底上形成一金属凸块；

于该金属凸块的一表面上沉积一含少量元素材料层，其中该含少量元素材料层包括一少量元素；

进行一热工艺以驱使该少量元素进入该金属凸块；以及

在进行该热工艺的步骤之后，将该金属凸块接合至一集成电路构件。

10.一种半导体元件，包括：

一基底；

一金属凸块，位于该基底之上，其中该金属凸块包括一表面层及位于该表面层之下的一内层；以及

一少量元素，位于该金属凸块的该表面层之中，其中该金属凸块的该内层不具有该少量元素于其中，且其中该少量元素是选自由钴、锗、铋、锌、铟、铁、锰、铈、锑、及前述的组合所组成的族群。