[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

工序（a），准备由晶片和在所述晶片上形成的保护构件构成的处理对象；

工序（b），在多个点测定所述保护构件的厚度；以及

工序（c），基于所述多个点的测定结果，设定将所述晶片和所述保护构件合起来的厚度的目标值，根据该目标值对所述晶片进行研磨。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述工序（b）是在所述保护构件的径向的多个点测定所述保护构件的厚度的工序。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述工序（c）是基于所述多个点的测定结果的平均值设定所述目标值的工序。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述工序（c）是将所述晶片载置在载物台上，使用配置在所述晶片上的研磨构件对所述晶片进行研磨的工序，

所述半导体装置的制造方法还具有：

工序（d），测定研磨后的所述晶片内的厚度分布；以及

工序（e），基于所述厚度分布，调整所述载物台相对于所述研磨构件的配置角度。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述工序（d）是如下工序：预先设定所述晶片的厚度的上限值以及/或者下限值，在该上限值以下以及/或者下限值以上的厚度范围，测定所述晶片内的厚度分布。

6.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还具有：

工序（f），代替所述工序（e），基于所述厚度分布，调整所述研磨构件相对于所述载物台的配置角度。

7.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还具有：

工序（g），向研磨后的所述晶片入射光，测定其反射光；以及

工序（h），基于所测定的所述反射光的强度，评价所述研磨构件的研磨性能。

8.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还具有：

工序（i），测定用于使所述研磨构件旋转的轴电流；以及

工序（j），基于所测定的所述轴电流的大小，评价所述研磨构件的研磨性能。

9.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述工序（b）、（d）是如下工序：使用利用测定对象物的表面和背面的干涉进行的膜厚测定，测定所述保护构件的厚度以及所述晶片内的厚度分布。

10.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述工序（c）是如下工序：一边利用接触式厚度测定器测定将所述晶片和所述保护构件合起来的厚度，一边对所述晶片进行研磨。

11.如权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述工序（b）、（c）、（d）是如下工序：对测定对象物上的同一点进行多次测定，在该测定值处于预先设定的范围外的情况下，排除该测定值。

12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

工序（a），将晶片载置在载物台上，将研磨构件配置在所述晶片上，对所述晶片进行研磨；

工序（b），向研磨后的所述晶片入射光，测定其反射光；以及

工序（c），基于所测定的所述反射光的强度，评价所述研磨构件的研磨性能。

13.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

工序（a），将晶片载置在载物台上，将能够旋转的研磨构件配置在所述晶片上，对所述晶片进行研磨；

工序（b），测定用于使所述研磨构件旋转的轴电流；以及

工序（c），基于所测定的所述轴电流的大小，评价所述研磨构件的研磨性能。