[发明专利]含氢气、硫化氢的多组分气体的两步法变压吸附分离方法无效

专利信息
申请号: 201110038421.X 申请日: 2011-02-02
公开(公告)号: CN102626580A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 何巨堂 申请(专利权)人: 何巨堂
主分类号: B01D53/047 分类号: B01D53/047
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 471003 河南省洛阳市*** 国省代码: 河南;41
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 氢气 硫化氢 组分 气体 步法 变压 吸附 分离 方法
【权利要求书】:

1.含氢气、硫化氢的多组分气体的两步法变压吸附分离方法,其特征在于包含以下步骤:

①在第一变压吸附部分(脱硫化氢变压吸附部分),所述原料气F中硫化氢组分被第一吸附剂床层吸附,得到一个脱除硫化氢的第一净化气G1;在第一吸附剂床层的再生过程得到一个富含硫化氢的第一吸附剂床层再生排放气PG1;

②在第二变压吸附部分(氢气提纯变压吸附部分),第一净化气G1中非氢组分被第二吸附剂床层吸附,得到一个主要由氢气组成的的第二净化气G2;在第二吸附剂床层的再生过程得到一个硫化氢浓度低的第二吸附剂床层再生排放气PG2。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:

所述原料气F为荒煤气GF一氧化碳变换制氢生成气之冷却分水后气体。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于:

①第一变压吸附部分操作条件为:温度为30~50℃、压力为0.5~2.5MPa(绝压)、第一吸附剂床层使用吸附水的吸附剂1SA和吸附硫化氢的吸附剂1SB;第一净化气G1的硫化氢浓度低于35毫克/标准立方米;第一吸附剂床层再生排放气PG1体积流量与原料气F体积流量之比为1∶200~1∶3;

②第二变压吸附部分操作条件为:温度为30~50℃、压力为0.5~2.5MPa(绝压)、第二吸附剂床层使用多种吸附材料分层组合而成;第二净化气G2的氢气体积浓度高于95%;第二吸附剂床层再生排放气PG2硫化氢浓度低于50毫克/标准立方米,第二吸附剂床层再生排放气PG2的二氧化碳体积浓度高于10%。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:

①第一变压吸附部分操作条件为:温度为35~45℃、压力为0.8~2.0MPa(绝压)、第一吸附剂床层使用吸附水的吸附剂1SA(活性氧化铝类)和吸附硫化氢的吸附剂(硅胶类)1SB,吸附剂1SB空速为30~300标准立方米原料气/立方米吸附剂;第一净化气G1的硫化氢浓度低于15毫克/标准立方米;第一吸附剂床层再生排放气PG1体积流量与原料气F体积流量之比为1∶100~1∶5;

②第二变压吸附部分操作条件为:温度为35~45℃、压力为0.8~2.0MPa(绝压);第二净化气G2的氢气体积浓度高于99%;第二吸附剂床层再生排放气PG2硫化氢浓度低于20毫克/标准立方米,第二吸附剂床层再生排放气PG2的二氧化碳体积浓度高于13%。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:

①第一变压吸附部分操作条件为:压力为1.0~1.5MPa(绝压),吸附硫化氢的吸附剂(硅胶类)1SB的空速为50~200标准立方米原料气/立方米吸附剂;第一净化气G1的硫化氢浓度低于0.7毫克/标准立方米;第一吸附剂床层再生排放气PG1体积流量与原料气F体积流量之比为1∶50~1∶5;

②第二变压吸附部分操作条件为:压力为1.0~1.5MPa(绝压);第二净化气G2的氢气体积浓度高于99.9%;第二吸附剂床层再生排放气PG2硫化氢浓度低于1毫克/标准立方米,第二吸附剂床层再生排放气PG2的二氧化碳体积浓度高于15%。

6.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:

荒煤气GF一氧化碳变换制氢过程操作条件为:一氧化碳转化率大于85%、氧气全部转化、有机硫转化率大于85%;一氧化碳变换催化剂床层操作条件为:平均反应温度低于350℃、压力为0.5~2.5MPa(绝压)、催化剂为耐硫变换催化剂、催化剂体积空速为300~2500标准立方米原料气/立方米催化剂、水蒸汽/一氧化碳之分子比为1.3~6.0;所述原料气F温度为30~50℃。

7.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:

荒煤气GF一氧化碳变换制氢过程操作条件为:一氧化碳转化率大于90%、氧气全部转化、有机硫转化率大于90%;一氧化碳变换催化剂床层操作条件为:平均反应温度低于300℃、压力为0.8~2.0MPa(绝压)、催化剂为耐硫变换催化剂、催化剂体积空速为500~2000标准立方米原料气/立方米催化剂、水蒸汽/一氧化碳分子比为1.5~4.5;所述原料气F温度为35~45℃。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于何巨堂,未经何巨堂许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110038421.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top